Рассасывание - заряд
Cтраница 4
При переменном токе после прохождения тока через нуль вследствие диффузии происходит быстрое рассасывание зарядов, и через 10 мксек между контактами восстанавливается электрическая прочность вакуума. [46]
Среди схем насыщенного типа при использовании транзисторов с относительно малым временем рассасывания заряда наибольшим быстродействием обладают ТТЛ со сложными инверторами. Быстродействие этих схем повышается при модификации основной схемы включением дополнительного транзистора в нагрузку каскада инвертора ( см. рис. 4.10, б), причем наибольшее быстродействие имеют ИМС с переходами Шоттки, которые препятствуют насыщению транзисторов. [47]
Указанные во второй группе перегрузки по напряжению связаны с эффектами накопления и рассасывания зарядов в ключевых компонентах схемы, а также с влиянием паразитных элементов монтажа и корпусов приборов. [48]
 |
Ненасыщенные триггеры с внешним смещением. [49] |
При использовании в триггерах обычных, в особенности низкочастотных транзисторов большое время рассасывания заряда в базе насыщенного транзистора в ряде случаев является наиболее важным фактором, ограничивающим быстродействие. Как указано ниже, статический расчет насыщенных триггеров следует проводить, исходя из минимального значения коэффициента передачи Выан транзисторов используемого типа с учетом влияния температуры. При этом транзистор с максимальной величиной макс оказывается сильно насыщенным, и для уверенного запирания его необходимо выбирать достаточно большую длительность и амплитуду тока запускающего импульса. При счетном запуске это приводит к необходимости соответствующего увеличения емкости ускоряющих конденсаторов и снижению максимальной частоты переключения. [50]
Инерционность полупроводниковых диодов связана, как известно [4], с процессами накопления и рассасывания неравновесного заряда в базе. [51]
При Qn ( 0) 0 и / п0 это решение описывает процесс рассасывания неравновесного заряда. [52]
Второй член в выражении ( 11) учитывает наличие обратного тока, обусловленного рассасыванием заряда избыточных носителей в базе под воздействием обратного напряжения, и зависит от частоты питающей сети. [53]
Особенностью меза-диода является уменьшение объема базовой области, благодаря чему сокращается процесс накопления и рассасывания заряда. Второй особенностью меза-диода является неравномерное распределение примесей в базе, благодаря чему создается внутреннее поле. Наличие этого поля способствует движению неосновных носителей заряда через базу. [54]
Накопление неравновесных носителей в приконтактных областях р-и-перехода связано с зарядом диффузионной емкости, а рассасывание неравновесного заряда соответствует разряду этой емкости. [55]
 |
Схема ТК с форсирующей емкостью ( о и временнйе диаграммы напряжения е ( 0 ( б.| Схема ТК с нелинейной обратной связью ( а и пояснения к методике определения режима его работы ( б. [56] |
Бс при Сф0 ( рис. 4 - 43, в), поэтому скорость рассасывания заряда в базе транзистора возрастает, а длительности / Вас и / рас уменьшаются. [57]
Ri при выполнении условия Tit2const, напряжение а выходе меет отрицательную полярность, что улучшает рассасывание зарядов в базе транзистора и его запирание. [58]
 |
Графики зависимости Qn-Qe P ( tat для диодов различного технологического типа. [59] |
ВОсст в определенной мере вуалируется процессом перезаряда барьерной емкости диода, который накладывается на процесс рассасывания заряда. Сравнительные результаты измерения тэфф рассмотренными методами для различных диодов приведены в таблице. [60]
Страницы: 1 2 3 4