Рассеяние - носитель - заряд
Cтраница 1
Рассеяние носителей заряда на нейтральных рассеивающих центрах изотропно. Анизотропия наблюдается лишь для очень больших энергий электронов и дырок. [1]
Рассеяние носителей заряда на нейтральных атомах значительно сложнее по сравнению с рассеянием частиц на заряженных примесях. Это обусловлено несколькими обстоятельствами. Во-первых, вследствие тождественности рассеиваемого электрона и электрона атома возможен обменный эффект. Во-вторых, рассеивающий силовой центр, рассматриваемый для данного случая в виде водородоподобной модели, должен иметь возбужденные состояния, и поэтому рассеяние может быть уже неупругим. И, наконец, рассеиваемая частица будет влиять на поле рассеивающего центра: она будет поляризовать атом примеси возникнет индуцированный дипольный момент у атома примеси, а это создает электрическое поле, действующее на свободный носитель заряда. [2]
Рассеяние носителей заряда на нейтральных атомах значительно сложнее по сравнению с рассеянием частиц на заряженных примесях. Это обусловлено несколькими обстоятельствами. Во-первых, вследствие тождественности рассеиваемого электрона и электрона атома возможен обменный эффект. Во-вторых, рассеивающий силовой центр, рассматриваемый для данного случая в виде водородоподобной модели, может иметь возбужденные состояния и поэтому рассеяние может быть уже неупругим. И, наконец, рассеиваемая частица будет влиять на поле рассеивающего центра: она будет поляризовать атом примеси, возникнет индуцированный дипольный момент у атома примеси, а это создает электрическое поле, действующее на свободный носитель заряда. [3]
Рассеяние носителей заряда на нейтральных атомах значительно сложнее по сравнению с рассеянием частиц на заряженных примесях. Это обусловлено несколькими обстоятельствами. Во-первых, вследствие тождественности рассеиваемого электрона и электрона атома возможен обменный эффект. Во-вторых, рассеивающий силовой центр, рассматриваемый для данного случая в виде водородоподобной модели, должен иметь возбужденные состояния, и поэтому рассеяние может быть уже неупругим. И, наконец, рассеиваемая частица будет влиять на поле рассеивающего центра: она будет поляризовать атом примеси возникнет индуцированный дипольный момент у атома примеси, а это создает электрическое поле, действующее на свободный носитель заряда. [4]
 |
Зависимость электропроводности невырожденного полупроводника n - типа от температуры и концентрации доноровNa ( Ndl Nd2 Nd3. [5] |
Рассеяние носителей заряда на фононах превалирует при высокой температуре. В легированных полупроводниках рассеяние осуществляется также на атомах примеси. Этот механизм рассеяния играет основную роль при низких температурах, когда концентрация фононов мала. [6]
Рассеяние носителей заряда происходит и на других нарушениях решетки, например на дислокациях. [7]
Рассеяние носителей заряда уменьшает влияние магн. [8]
Рассеяние носителей заряда друг на друге не должно играть большой роли, поскольку их взаимодействие было учтено введением самосогласованного поля. [9]
Рассеяние носителей заряда на нейтральных рассеивающих центрах изотропно. Анизотропия наблюдается лишь для очень больших энергий электронов и дырок. [10]
Рассеяние носителей заряда друг на друге не должно играть большой роли, поскольку их взаимодействие было учтено введением самосогласованного п оля. [11]
Механизм рассеяния носителей заряда на продольных акустических фононах является основным при высоких температурах для ковалентных кристаллов. Для кристаллов со значительной долей ионности в связях ( например, In, Sb, GaAs, Cu3Te) электроны сильнее взаимодействуют с дипольными моментами, возникающими при смещениях разноименно заряженных ионов в ячейке, что соответствует рассеянию электронов на оптических фононах. Для описания рассеяния носителей заряда на оптических фононах1 используется понятие поляризационного потенциала, аналогичного по форме деформационному. При разделении зарядов ионов в ячейках по кристаллу распространяется плоская волна напряженности электрического поля. [12]
В случае рассеяния носителей заряда на тепловых колебаниях атомов решетки за эффективное сечение рассеяния принимается площадь сечения той области, которую может занимать колеблющийся атом. [13]
Если процессы рассеяния носителей заряда описываются в приближении времени релаксации т, то для зонной мсдели с одной параболической зоной в результате решения кинетического уравнения Больцмана можно получить выражения для указанных гальвано-магнитных явлений при слабых и сильных магнитных полях. [14]
Для описания процесса рассеяния носителей заряда на оптических колебаниях используется так называемый поляризационный потенциал. Он вводится следующим образом. Смещение атомов в ячейке происходит в противофазе. Разделение зарядов порождает электрическое поле ( поляризацию вещества), которое перемещается в пространстве в виде плоской волны. Взаимодействие носителей заряда с этой волной приводит к их рассеянию. Чтобы определить вероятность рассеяния, необходимо найти матричный элемент возмущения. [15]
Страницы: 1 2 3 4