Рассеяние - носитель - заряд
Cтраница 2
Существует два механизма рассеяния носителей заряда дислокациями. Первый обусловлен полем упругих напряжений вблизи дислокации. Упругие напряжения вызывают локальные изменения объема кристалла, и, следовательно, имеется некоторая аналогия с деформацией, которая проявлялась в случае рассеяния тепловыми фононами. [16]
Для определения механизма рассеяния носителей заряда в диапазоне температур 100 - 300 К проведен расчет i и параметра рассеяния г с использованием экспериментальных данных по а, Q, Л, а. [17]
Для описания процесса рассеяния носителей заряда на оптических колебаниях используется так называемый поляризационный потенциал. Он вводится следующим образом. Смещение атомов в ячейке происходит в противофазе. Разделение зарядов порождает электрическое поле ( поляризацию вещества), которое перемещается в пространстве в виде плоской волны. Взаимодействие носителей заряда с этой волной приводит к их рассеянию. Чтобы определить вероятность рассеяния, необходимо найти матричный элемент возмущения. [18]
 |
Температурная зависимость удельного сопротивления р меди и ее сплавов ( иллюстрация правила Маттиссена. [19] |
Слагаемое рчист обусловлено рассеянием носителей заряда на тепловых колебаниях решетки, а рпрнм - рассеянием на ионах примеси. [20]
При больших температурах преобладает рассеяние носителей заряда на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. [21]
Как и почему изменяется рассеяние носителей заряда в сильных электрических полях. [22]
При больших температурах преобладает рассеяние носителей заряда на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. [23]
Как и почему изменяется рассеяние носителей заряда в сильных электрических полях. [24]
По формуле (6.45) при рассеянии носителей заряда в атомных кристаллах на акустических колебаниях атомов решетки время релаксации обратно пропорционально температуре, энергии в степени одна вторая и эффективной массе носителя в степени три вторых. [25]
 |
Механизмы поглощения электрической энергии в диэлектриках. [26] |
Наиболее простым механизмом потерь представляется рассеяние носителей заряда, участвующих в электропроводности. Этот механизм в той или иной мере имеет место во всех диэлектриках - в газах, жидкостях и кристаллах. Рассеяние носителей заряда при соударениях с атомами и молекулами ( в неупорядоченных средах) и их рассеяние на колебаниях решетки и дефектах ( в кристаллах) являются самым важным механизмом превращения электрической энергии в тепловую в проводниках и полупроводниках. [27]
В чем состоит физическая сущность рассеяния носителей заряда нейтральными примесями. [28]
В чем состоит физическая трактовка рассеяния носителей заряда дислокациями. [29]
Величина подвижности зависит от механизма рассеяния носителей заряда в полупроводнике, который определяется типом химической связи кристаллической решетки, наличием примеси и других кристаллических дефектов полупроводника. [30]
Страницы: 1 2 3 4