Рассеяние - носитель - заряд
Cтраница 4
При высоком уровне инжекции может проявляться еще один механизм рассеяния носителей заряда - рассеяние носителей на носителях, что приводит к уменьшению подвижности и коэффициента диффузии носителей заряда. Однако это явление часто можно не принимать во внимание, так как оно начинает сказываться при сравнительно больших концентрациях инжектированных носителей. [46]
Принято считать, что более прочная связь способствует уменьшению рассеяния носителей заряда на колебаниях решетки и вполне компенсирует наличие незначительной дипольности связи. [47]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей в база диода с тонкой базой. [48] |
При высоком уровне ишкекцкн может проявляться еще одни механизм рассеяния носителей заряда - рассеяние носителей на носителях, что приводит к уменьшению подвижности и коэффициента диффузии носителей заряда. Однако это явление часто можно не принимать во внимание, так как оно начинает сказываться при сравнительно больших концентрациях инжектированных носителей. [49]
 |
Значения приведенного уровня Ферми. [50] |
Наиболее просто это можно сделать, если известен механизм рассеяния носителей заряда. [51]
С ростом напряженности поля выше критического значения, при рассеянии носителей заряда на ионизированных примесях, подвижность носителей возрастает. [52]
Страницы: 1 2 3 4