Рассеяние - носитель - заряд
Cтраница 3
По формуле (6.69), при рассеянии носителей заряда в атомных кристаллах на акустических колебаниях атомов решетки время релаксации обратно пропорционально температуре, энергии в степени одна вторая и эффективной массе носителя в степени три вторых. [31]
В области низких температур в рассеянии носителей заряда могут играть роль также и точечные дефекты решетки. [32]
Коэффициент пропорциональности и зависит от механизма рассеяния носителей заряда и называется подвижностью. [33]
Величина а существенно зависит от характера рассеяния носителей заряда на поверхности. [34]
 |
Экспериментальная зависимость холловской подвижности дырок в кремнии, легированном бором от температуры.| Экспериментальная зависимость подвижности электронов в фосфиде индия. [35] |
Как описываются тепловые колебания атомов решетки и рассеяния носителей заряда на тепловых колебаниях атомов решетки. [36]
При температуре, близкой к комнатной, рассеяние носителей зарядов в металле, обусловленное температурными колебаниями решетки, вызывает линейную зависимость удельного сопротивления по постоянному току от температуры. [37]
С высокими значениями е0 тесно связаны особенности рассеяния носителей заряда в халькогенидах свинца. Благодаря сильному экранированию кулоновского потенциала сечение рассеяния на заряженных примесях мало ( порядка 10 - 16 - 10 - 15 см2), как и на нейтральных точечных дефектах. [38]
Для атомных полупроводников большую роль играет процесс рассеяния носителей заряда на акустических колебаниях решетки, тогда как для ионных кристаллов важнее рассеяние на оптических колебаниях решетки. [39]
Поскольку число фононов определяется температурой, то и рассеяние носителей заряда должно зависеть от температуры. [40]
Число Лоренца в этом случае зависит от механизма рассеяния носителей заряда. [42]
Само по себе обнаружение при комнатной температуре эффекта рассеяния носителей заряда на ионизованных или, более точно, сильно полярных примесях в продуктах РТМ полимеров представляет значительный интерес, так как в неорганических полупроводниках этот механизм рассеяния является определяющим при более низких температурах, а при комнатной температуре рассеяние происходит на тепловых колебаниях решетки. [43]
Одни и те же неоднородности по-разному сказываются на рассеянии носителей заряда в металле и в полупроводнике. [44]
Принято считать, что более прочная связь способствует уменьшению рассеяния носителей заряда на колебаниях решетки и вполне компенсирует наличие незначительной дипольности связи. [45]
Страницы: 1 2 3 4