Обратное рассеяние

Cтраница 1

Обратное рассеяние вызывается такими же образцами алюминиевой фольги, как в раб. [1]

Обратное рассеяние Р - частиц веществом зависит от их энергии, толщины слоя абсорбирующего материала и порядкового номера абсорбирующего элемента. [2]

Ионизация ( 5-частицами. [3]

Обратное рассеяние и наблюдаемые эффекты поглощения довольно чувствительны к точному порядку расположения и размерам источника, поглотителей и детектора. Этот порядок называют геометрией; термин используют также в числовом смысле для обозначения доли общего испускаемого излучения, которая может попасть в детектор. При счете твердых образцов обычно строго стандартизуют геометрию, материалы подложки и химическую природу образцов. Желательно применять наборы эталонных образцов с активностью, не очень сильно отличающейся от определяемой. [4]

Обратное рассеяние Р - частиц веществом зависит от их энергии, толщины слоя абсорбирующего материала и порядкового номера абсорбирующего элемента. [5]

Зависимости нормированных токов фотоэмиссии электронов в неолентан, / / /, от напряженности внешнего электрического поля F. Энергия инжектированных электронов. темные кружки - 0 34 эВ, светлые кружки - 0 23 эВ. Кривые 2 и 4 рассчитаны по формуле в пренебрежении обратным рассеянием для значений параметра гауссова распределения Ь, равных соответственно 145 и 188 А. Кривая 3 получена для Ъ - 245 А при 33 % обратном рассеянии, кривая / - для Ъ 65 А и 70 % рассеянии или Ь 286 А и 30 % рассеянии. [6]

Обратное рассеяние должно играть важную роль, когда электроны неэффективно теряют энергию при упругих соударениях и по этой причине могут перемещаться в жидкости на большие расстояния. В этом случае движение электрона, беря свое начало от х О, должно быть подобно случайным прыжкам. В результате вероятность возвращения электрона &-металл ( вероятность обратного рассеяния) может быть весьма велика. [7]

Схема прибора для обратного рассеяния ионов. [8]

Обратное рассеяние ионов с хорошо сфокусированными ионными пучками ( ионография) при сравнительно высокой разрешающей способности является эффективным методом распределительного анализа. [9]

Обратное рассеяние р-частиц веществом зависит от их энергии, толщины слоя абсорбирующего материала и порядкового номера абсорбирующего элемента. [10]

Градуировочная кривая для измерения толщин тонкой алюминиевой фольги на свинцовой подложке по методу обратного рассеяния с использованием р-излучения препарата таллия-204. [11]

Измерено обратное рассеяние р-излучения Т1204 от свинцовой подложки с измерительным устройством, описанным в раб. [12]

Схема лазера, в котором одно из зеркал удалено от активной среды.| Схема расположения зеркал в кольцевом лазере. Применяется также схема с четырьмя зеркалами. [13]

Такое когерентное обратное рассеяние может быть осуществлено совсем иначе на основе принципа, который хорошо известен в рентгеновской технике. Когда на кристалл падает рентгеновское излучение, каждый атом кристалла действует как центр рассеяния. [14]

Измеряют обратное рассеяние серии различной алюминиевой фольги известной толщины со свинцовой подложкой. Строят градуировочную-кривую и по ней определяют неизвестные толщины алюминиевых слоев на свинцовой подложке. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5