Обратное рассеяние

Cтраница 2

Интенсивность обратного рассеяния сильно зависит от расстояния источник - кристалл и оказывается тем меньше, чем меньше это расстояние. Заметный вклад в обратное рассеяние дает наличие около источника значительного количества рассеивающих материалов, в качестве которых могут выступать подложка, держатель или основа источника. Последнее обстоятельство очень существенно, так как в практике активационного анализа очень часто для измерений используют непосредственно облученный образец, который может иметь значительный вес и большие размеры. [16]

Рассчитанная кривая поправок l / G / ( a. - 1 - вычисленные значения. [17]

Коэффициент обратного рассеяния и его значение для измерения препаратов описаны в работе с торцовым счетчиком. Это описание приводится в разд. [18]

Коэффициенты обратного рассеяния вычисляют с учетом фона. Толщину насыщения обратного рассеяния dfi, а также коэффициент насыщения обратного рассеяния / н для алюминия определяют по кривой. [19]

Метод обратного рассеяния используется в тех случаях, когда нельзя применять метод поглощения, например не представляется возможным установить исследуемый слой между источником излучения и счетной трубкой. [20]

Коэффициент обратного рассеяния в области малых энергий ( до 0 6 Мэв) растет с увеличением энергии р-частиц и остается почти постоянным в области больших энергий. Увеличение атомного номера рассеивателя также приводит к возрастанию коэффициента обратного рассеяния. [21]

Задача обратного рассеяния в трехмерной случайно неоднородной среде / / Изв. [22]

Коэффициент обратного рассеяния зависит от толщины и материала подложки. Материалы подложки с большим атомным номером увеличивают рассеяние, поэтому при абсолютных измерениях желательно применять легкие материалы, например алюминий. Однако алюминий взаимодействует с кислотами и щелочами, поэтому в зависимости от свойств соединений, в состав которых входит изотоп, иногда применяют и другие, более тяжелые материалы: медь, нержавеющую сталь, платину, стекло, фарфор. [23]

Интенсивность обратного рассеяния сильно зависит от расстояния источник - кристалл и оказывается тем меньше, чем меньше это расстояние. Заметный вклад в обратное рассеяние дает наличие около источника значительного количества рассеивающих материалов, в качестве которых могут выступать подложка, держатель или основа источника. Последнее обстоятельство очень существенно, так как в практике активационного анализа очень часто для измерений используют непосредственно облученную пробу, которая может иметь значительную массу и большие размеры. [24]

Коэффициентом обратного рассеяния ( s) называют отношение общего потока отраженных электронов к первичному потоку. Средняя энергия отраженных электронов пропорциональна порядковому номеру элемента. [25]

Зависимость истинных коэффициентов обратного рассеяния ( с учетом поправок на поглощение обратно рассеянного излучения от атомного номера подложки. [26]

Эффект обратного рассеяния уменьшается, если толщина препарата возрастает. [27]

Методом обратного рассеяния света в ячейке Куэтта экспериментально исследованы кинетические процессы в суспензии ЛЖК липидных везикул - агрегация, деформация формы, релаксация, седиментация - и получены численные значения их характерных времен. [28]

Явление обратного рассеяния электронов было описано в гл. Для достижения воспроизводимости при счете р-частиц образцы, очевидно, следует устанавливать таким образом, чтобы для всей серии образцов обратное рассеяние было или одинаковым или пренебрежимо малым. Если интересуют только относительные скорости распада, образцы лучше всего наносить на толстые подложки, изготовленные из материалов с низким значением Z ( полимерные материалы или алюминий), и проводить все измерения в одинаковых геометрических условиях. [29]

Регистрация обратного рассеяния излучения производится различными счетно-регистрирующими устройствами - ионизационными камерами, гейгеровскими и сцинтилляционными счетчиками. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5