Обратное рассеяние

Cтраница 3

Кривая поглощения ( З - чаетиц Т1204. [31]

Поправка на обратное рассеяние была определена в раб. [32]

Как изменяется обратное рассеяние от свинцовых или алюминиевых подложек при нанесении медных слоев. [33]

Поправка на обратное рассеяние a - частиц от подложки не учитывается, так как даже для тяжелых материалов с большим Z эта поправка мала. [34]

Поправка на обратное рассеяние уменьшается также и при увеличении толщины активного слоя на подложке. [35]

Не учитывается обратное рассеяние у-квантов защитой, что обусловливает завышение мощности источников. [36]

Значительное уменьшение обратного рассеяния дает использование кристаллов больших размеров и коллимация у-излучения. [37]

Поскольку пик обратного рассеяния затрудняет определение у-линий с энергией 100 - 300 кэв, то всегда следует принимать все возможные меры, чтобы уменьшить его интенсивность. [38]

При измерении обратного рассеяния используется один преобразователь, в других случаях необходимы два преобразователя. В общем случае в среду излучается акустический импульс, а принятый рассеянный сигнал, полученный в режиме типа А, стробируется таким образом, чтобы рассеивающий объем определялся областью пересечения двух пучков. Излучаемый акустический сигнал может быть тональным ( синусоидальным) или широкополосным импульсом. В последнем случае для определения зависимости рассеянной мощности от частоты необходим спектральный анализ принятого сигнала. В работе [51] рассмотрена возможность применения тональных импульсных сигналов для измерения обратного рассеяния ультразвука с помощью метода замещения, в основе которого лежит сравнение полученных сигналов с сигналами, рассеянными эталонной мишенью, например, плоским отражателем. При попытках провести абсолютные измерения рассеяния необходимо выполнить операцию обращений свертки спектральной характеристики преобразователя и используемой электронной аппаратуры с характеристикой исследуемой ткани по результатам измерений на плоском отражателе. Следует отметить, что во многих работах результаты измерения рассеяния все еще выражаются в децибелах относительно значений, полученных для выбранного плоского отражателя. Отражатель должен быть установлен на том же расстоянии от преобразователя, что и рассеивающий элемент, причем оба они с целью уменьшения погрешностей, связанных с эффектом компенсации фаз, должны находиться в дальнем поле преобразователя. [39]

Однако явление обратного рассеяния ( З - излучепия используется недостаточно и соответствующие приборы не получили еще широкого распространения. Недостаток сведений по обратному рассеянию не позволяя создать прибор, применимый для контроля широкого круга изделии по единым графикам независимо от материала изделия, формы и чистоты обработки его поверхности. Ниже даны основные результаты исследования обратного рассеяния ( 3-излучения, позволившие создать прибор для контроля толщин покрытий, в котором наиболее рационально используются особенности явления. [40]

Схема измерения информативных признаков дефектов. [41]

Ширина индикатрисы обратного рассеяния в горизонтальной плоскости измеряется с помощью устройства с лимбом на уровне 6 дБ от максимума. [42]

При изучении обратного рассеяния ( З - частиц от органических соединений было обнаружено и количественно определено [5] аномальное поведение водорода. [43]

Зависимость коэффициентов обратного рассеяния q при насыщении для различных р-излучателей от атомного номера подложки Z. [44]

Величина коэффициента обратного рассеяния зависит от толщины и среднего атомного номера 2 подложки, а также от энергии излучения. На рис. 52 приведен график, с помощью которого можно оценить значение q в зависимости от Z подложки для изотопов с различной максимальной энергией р-излучения. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5