Обратное рассеяние

Cтраница 4

Поскольку пик обратного рассеяния затрудняет определение Y-ЛИНИЙ с энергией 100 - 300 кэв, то всегда следует принимать все возможные меры, чтобы уменьшить его интенсивность. [46]

Этот эффект обратного рассеяния возрастает с увеличением атомного веса и толщины подложки до тех пор, пока не будет достигнута толщина, полностью поглощающая отраженные частицы. [47]

Вклад электронов обратного рассеяния увеличивается с ростом атомного номера элемента в образце и для тяжелых элементов может достигать половины суммарного выхода оже-электронов, когда энергия падающего пучка значительно больше пороговой энергии оже-электронов. [48]

В процессе обратного рассеяния частицы теряют часть своей энергии. [49]

Скорость счета обратного рассеяния излучения 0 77 Мэв ( TI204) для циркония, содержащего 5 % примеси гафния, равнялась 1010 имп / мин; скорость счета от образца, содержащего 10 % гафния, равнялась 1040 имп / мин; скорость счета обратного рассеяния от образца с неизвестным содержанием гафния 1020 имп / мин. [50]

Контроль затрудняется сильным обратным рассеянием энергии ультразвука из плакировочного слоя. [51]

Зависимость 1 / 0 от расстояния а. [52]

Определяют поправку на обратное рассеяние для - излучателя, находящегося на определенной подложке, в зависимости от толщины и порядкового номера элемента, применяемого в качестве подложки. [53]

Используя поправки на обратное рассеяние, определяют активность неизвестного р-препарата способом сравнения с эталонным препаратом одинаковой формы, но приготовленным на другой подложке. [54]

Заметно меняться вследствие обратного рассеяния в газе распыленных атомов одного компонента на поверхности другого. Это явление наблюдается при давлениях 1 0 Па, если один компонент распыляется хуже другого. Например, при распылении молибдена и меди на медной поверхности появляются молибденовые конусообразные образования высотой в несколько микрон, вследствие покрытия поверхности меди молибденом снижается скорость распыления меди. Так же, как медь, ведут себя алюминий, серебро и золото, а как молибден - вольфрам, никель, кобальт. [55]

Коэффициенты проводимости, обратного рассеяния и захвата определяют по формулам Р Л / ВЫХ / Л /; Е NBJN, Г Л / погл / Л /, где N - число прослеженных молекул. [56]

Установка для определения толщин тонкой алюминиевой фольги по методу обратного рассеяния - излучения.| Градуировочная кривая для измерения толщин тонкой алюминиевой фольги по методу обратного рассеяния р-излучения ( препарат таллия-204. [57]

При измерениях методом обратного рассеяния препарат f - излучателя и индикатор излучения располагают по одну сторону от рассеивающего материала. [58]

Экспериментальное определение коэффициента обратного рассеяния производится сравнением скорости счета препарата на данной подложке со скоростью счета препарата равной активности, нанесенного на очень тонкую пленку. [59]

Радиоэлементы для определения толстых слоев. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5