Энергетическое расстояние

Cтраница 1

Поглощение раствора СН2С12 в СН2Вг2 при концентрации моль / л. [1]

Энергетическое расстояние между соответствующими уровнями СН2С1а и СН2Вга в твердой фазе составляет 86.80 10 - 4 эв. [2]

Энергетическое расстояние их от этой границы таково, что тепловой энергии решетки достаточно или почти достаточно для переноса электрона с них в полосу проводимости. Большая часть подобных уровней обусловлена трещинами, напряжениями или поверхностями раздела в кристалле, но иногда они прямо или косвенно связаны с чуждыми атомами. По природе своей они метастабильны и называются иногда метастабильными уровнями или по характеру поведения уровнями прилипания. Последний термин подчеркивает возможность захвата электрона из полосы проводимости на один из локализованных метастабильных уровней с последующим освобождением электрона за счет тепловых флуктуации решетки. Если уровни первой группы ( уровни загрязнения) принимаются нормально заполненными, то уровни прилипания в нормальном состоянии кристалла свободны. Пространственно те и другие локализованы и не участвуют в периодичности кристалла. [3]

A p. v -полосы хрома ( сплошные линии и марганца ( штриховые в чистых металлах ( Г и в силицидах Me3Si ( 2, Me5Si3 ( 3 и MeSi ( 4. [4]

Энергетическое расстояние между р - и s - подобными подполосами в тех силицидах, где / Ср, имеет отчетливо выраженный максимум, равняется 5 7 0 1 эв, что меньше соответствующего расстояния для карбидов, а тем более для нитридов и окислов. [5]

Энергетическое расстояние между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости равно ширине запрещенной зоны А, которая зависит от энергии связи валентных электронов с атомами кристаллической решетки. [6]

Энергетическое расстояние между ближайшими зонами 1 и / / м предполагается столь большим, что перенос электронов тепловым путем я из заполненной зоны / х в пустую зону / / м невозможен. Число заполненных и незаполненных зон в раз - личных кристаллофосфорах различно. Возбуждение сопровождается переносом электронов из одной из за-х полненных зон в одну из незаполненных. [7]

Типичные диаграммы энергетических уровней. [8]

В полупроводнике энергетическое расстояние, разделяющее уровень валентных электронов и уровень проводимости, очень мало и тепловая энергия валентных электронов при комнатной температуре достаточна, чтобы обеспечить заметную проводимость. Энергетическое расстояние для кремния составляет 1 11 эв, а для германия 0 72 эв. [9]

Для диэлектрика энергетическое расстояние, разделяющее уровень валентных электронов и уровень проводимости, велико и валентным электронам очень трудно достигнуть уровня проводимости. [10]

Константа а характеризует энергетическое расстояние между двумя уровнями возбуждения нуклонов. [11]

Различные конструктивные формы. [12]

Между зонами имеется значительное энергетическое расстояние величиной я несколько десятых элек-тронвольта. Каждый энергетический уровень может быть занят только некоторым определенным числом электронов. Если высшая зона занята только частично ( как это имеет место в металлах), то при добавлении очень небольшой энергии электрон может перейти на более высокий уровень и принять участие в проводимости. Необходимую энергию электроны получают от теплового движения. [13]

Диагоаммиое представление высокочастотной проводимости аа ( ш, определяющей межподзон-ное оптическое поглощение в приближении Хартри ( а и с учетом обменного и корреляционного эффектов ( б. Заштрихованные области представляют собой вершинные поправки. они должны быть согласованы с приближением, в рамках которого вычисляется полная функция Грина. [14]

Резонансная энергия сдвигается относительно энергетического расстояния между подзонами на величину, связанную с эффективной плазменной частотой сор. А и / 10 - 0 5 плазменная частота обычно велика и эффект деполяризации заметен. [15]

Страницы: 1 2 3 4