Энергетическое расстояние

Cтраница 2

Эту величину следует рассматривать как энергетическое расстояние между скачком и Ес в том случае, когда v ( Е) или ап ( Е) не зависят от температуры. [16]

Причина этого заключается в различии энергетических расстояний уровней активатора от зоны проводимости. [17]

Часть энергетической схемы кристалла, связанная с явлениями люминесценции. [18]

Поэтому все другие переходы, соответствующие еще большим энергетическим расстояниям, отпадают как неосуществимые не только под действием видимого, но и ультрафиолетового излучения. [19]

Зона Бриллюэна для халькогенидов свинца [ IMAGE ] Расположение зон в твердых растворах. [20]

С изменением температуры и при изотропном сжатии энергетическое расстояние между зоной тяжелых дырок и зоной проводимости практически не изменяется. Поскольку прямая запрещенная зона увеличивается с температурой и уменьшается с давлением, зазор Д соответственно или уменьшается или увеличивается. Расположение экстремума тяжелых дырок в зоне Бриллюэна однозначно не определено. [21]

Зона Бриллюэна для халькогенидов свинца [ IMAGE ] Расположение зон в твердых растворах Pb jSn Te. [22]

С изменением температуры и при изотропном сжатии энергетическое расстояние между зоной тяжелых дырок и зоной проводимости практически не изменяется. Поскольку прямая запрещенная зона увеличивается с температурой и уменьшается с давлением, зазор Д г соответственно или уменьшается или увеличивается. Расположение экстремума тяжелых дырок в зоне Бриллюэна однозначно не определено. [23]

Другими словами, это предположение означает, что энергетическое расстояние между отдельными термами велико по сравнению с изменениями, вызванными кристаллическим полем. Указанное условие является одновременно и условием применимости теории возмущений. [24]

Обозначение Е, Е / соответствует абсолютной величине энергетического расстояния между Е п и Гс Это обозначен я е используется на протяжении всей книги для исключения неопределенности знака is показателе экспоненты или произвола в выборе уровня, принимаемого за напало отсчета энергии. [25]

Степень примешивания, вызванного полем, обратно пропорциональна энергетическому расстоянию до высшего уровня. Если это расстояние меньше, чем в приведенном примере, но все еще гораздо больше, чем kT ( как это может иметь место, если спин-орбитальное взаимодействие снимает вырождение основного состояния и появляется расщепление, равное примерно К), то температурно независимый парамагнетизм вносит в восприимчивость вклад, равный С / К, который может быть довольно существенным. Такой температурно независимый парамагнетизм может превышать 1000 - 10 - 6 эл. Если расщепление kT, вклад, вносимый этим эффектом Зеемана второго порядка, уже не является не зависящим от температуры и может быть очень велик. При расстоянии kT парамагнетизм такого происхождения обращает закон Кюри для зависимости от температуры. [26]

При равенстве химических потенциалов концентрация свободных электронов на любом энергетическом расстоянии от общего химического потенциала одна и та же и находящиеся на этом уровне свободные электроны или дырки без изменения общей их энергии переходят из одной среды в другую, несмотря на то, что энергия их связи и потенциальная энергия в разных средах различны. Равенство химических потенциалов достигается при этом тем, что электроны или дырки, переходя из одной среды в другую, заряжают их и создают между ними такую разность потенциалов, которая компенсирует различие энергии связи. [27]

Уровни Ферми, которые мы изображаем так, чтобы энергетические расстояния от них по-прежнему однозначно определяли концентрацию носителей заряда, генерируемых тепловым движением, уже не совпадают в обоих полупроводниках. Разрыв между ними ef соответствует разности потенциалов ср, возникшей в результате освещения. Смещение энергетических уровней при освещении приводит к возрастанию потока равновесных электронов из электронного полупроводника в дырочный и равновесных дырок в обратном направлении. [28]

В этом случае можно предположить, что вблизи дна ямы из-за большого энергетического расстояния до следующей ветви потенциала приближенно применимо адиабатическое приближение, и в этой области полную волновую функцию можно представить как произведение электронной % типа ( X. [29]

Точный расчет Стерна [1691, 1695] показал, что ее величина сравнима с энергетическими расстояниями между подзонами, вычисленными в приближении Хартри, или даже превышает их, что указывает на важную роль многочастнчных эффектов. [30]

Страницы: 1 2 3 4