Cтраница 3
Итак, по температурной зависимости т на участке 2 может быть определено энергетическое расстояние лову иск до края ближайшей разрешенной зоны. Однако сами по себе температурные измерения не позволяют определить, к которой из зон ближе расположены ловушки. [31]
Поскольку при образовании Н - связи частота 28NH увеличивается, уменьшается и энергетическое расстояние между взаимодействующими уровнями [18], что приводит к увеличению расщепления уровней. Оба эти эффекта действуют на частоту перехода 28NH в противоположных направленит-ях, и, вероятно, в данном случае имеет место практически их компенсация. [32]
Если вспомнить, что в задаче 4.1 величине 2о0 соответствовала частота вн, характеризующая энергетическое расстояние между зеемановскими подуровнями 1 и - 1 для Р - состояния, то можно заключить, что интерференционные биения становятся существенными, когда частота биений близка к частоте перехода между рассматриваемыми подуровнями. Таким образом, резонансное увеличение интенсивности достигается, когда энергия фотона биения № 1 совпадает с энергетическим расстоянием между резонирующими подуровнями 1 и - 1 для Р - состояния атома. Это и есть обычное условие резонанса в квантовой теории излучения атомов. [33]
Энергетический уровень с фиксированными значениями квантовых чисел пи М расщепляется на два подуровня с энергетическим расстоянием 2 ( fjb - / лБ) Я0 между ними. [34]
Кроме спектроскопических измерений межподзонных оптических переходов существует и другой способ получения некоторой информации об энергетическом расстоянии между подзонами. В принципе пороговую концентрацию электронов можно определить путем тщательного анализа периода осцилляции Шубиикова - де Гааза в магнитном поле, направленном по нормали к границе раздела. Каждый период соответствует заполнению одного уровня Ландау в основной подзоне. Предполагается, что период изменится, если начнется заполнение вышележащей подзоны. Подобное изменение периода наблюдалось экспериментально, однако полученные результаты не согласуются друг с другом. Ховард и Фэнг [782] определили пороговые концентрации для нескольких образцов с различными обедв. [35]
Температурные поправки в другие величины энергии ионизации часто вводятся на основе предположения, что все энергетические расстояния изменяются пропорционально ширине запрещенной полосы. [36]
Ферми, поднято на уровни, лежащие выше уровня Ферми, и чем большие значения имеют энергетические расстояния между дырками, расположенными ниже уровня Ферми, и занятыми уровнями, находящимися выше уровня Ферми. Ввиду этого функция распеределения взаимодействующих электронов по энергиям и при Г-0 К наиболее сильно отличается от ступенчатой функции распределения в окрестности энергии Ферми SF. Отсюда следует, что разумно ввести приближение, согласно которому функция распределения взаимодействующих электронов по импульсам в области, ограниченной поверхностью eF ( p) const, равна единице ( t F ef) - При этом все коэффициенты гл, соответствующие состояниям с дырками, находящимися в этой области, следует считать равными нулю. [37]
При равенстве химических потенциалов вероятность, а следовательно, и степень заполнения уровней свободных электронов на любом энергетическом расстоянии от общего химического потенциала одна и та же, и находящиеся на этом уровне свободные электроны или дырки без изменения общей их энергии переходят из одной среды в другую, несмотря на то, что энергия их связи и потенциальная энергия в разных средах различны. Равенство химических потенциалов достигается при этом тем, что электроны или дырки, переходя из одной среды в другую, заряжают их и создают между ними такую разность потенциалов, которая компенсирует различие энергии связи. [38]
Когда в полупроводнике имеются доноры, электропроводность при низких температурах будет больше собственной проводимости, так как энергетическое расстояние R между уровнем валентного электрона донора и зоной проводимости значительно меньше ширины запрещенной зоны Q. Однако число доноров в решетке обычно гораздо меньше числа атомов основного вещества, поэтому если Q невелико и, следовательно, имеется некоторая собственная проводимость, то она быстро возрастает по мере увеличения температуры и становится во много раз больше примесной проводимости. [39]
В противоположность этому энергия связи любого нуклона в ядре столь велика, что она в десятки раз превышает энергетическое расстояние между уровнями энергии нуклонов ядра. Поэтому дополнительная энергия, сообщенная одному нуклону, распределяется между остальными нуклонами раньше, чем этот нуклон успеет покинуть ядро. Кроме того, и в основном состоянии ядра энергия внутриядерного движения сильно зависит, как это было пояснено в предыдущем параграфе, от состава ядра. Поэтому реальная затрата энергии на удаление нуклона из ядра больше, чем работа, потребная для преодоления связи отщепляемого нуклона с ядром, на величину энергии, которая расходуется вследствие перераспределения остающихся нуклонов по новым энергетическим состояниям. У некоторых легких ядер энергия отделения в 1 5 - 2 и даже 3 раза превышает истинную и среднюю энергию связи нуклона в ядре. [40]
Так как число состояний в зоне постоянно и равно степени перестановочного вырождения соответствующего уровня изолированного атома, то энергетическое расстояние между ними dE / dkx будет тем больше, чем шире сама зона, и наоборот. [41]
Основным параметром расщепления термов всех электронных конфигураций в полях кубической симметрии ( куб, октаэдр, тетраэдр) является энергетическое расстояние А, или ODq, между одноэлектронными es - и g - состояниями. [42]
Бесфононная линия - важная характеристика электронных спектров, несущая информацию об электронном строении системы; она дает точную величину энергетического расстояния между чисто электронными положениями термов ( дальнейшее обсуждение вопроса см. стр. [43]
Рассчитанная таким образом структура подзон инверсионного л-канала в InSb оказалась в отличном согласии с такими экспериментально определенными параметрами, как энергетическое расстояние между подзонами и эффективная масса. Араи также оценил вероятность туннелирования из состояний инверсионного слоя в валентную зону в объеме полупроводника и показал, что для InSb она пренебрежимо мала. Спиновое расщепление, как и ожидалось, оказалось значительно меньше результата, получившегося в расчетах Окавы и Уемуры. Но даже и при столь тщательных вычислениях остается ряд проблем. Нет причин a priori отбирать из получающихся 56 уровней 14 с наибольшими энергиями, поскольку обычный вариационный принцип здесь уже непригоден. Выбранные базисные волновые функции представляются разумными для зоны проводимости, но не могут описывать состояния, соответствующие валентной зоне. Поэтому весьма сомнительно, чтобы указанные расчеты описывали изменение межзонных взаимодействий за счет поверхностного потенциала, которое в р-канапах на Si играло решающую роль. [44]
Основной параметр расщепления d - термов всех электронных конфигураций в полях кубической симметрии ( куб, октаэдр, тетраэдр) - энергетическое расстояние Д, или 10D9, между одноэлек-тронными eg - и g - состояниями. [45]