Энергетическое расстояние
Cтраница 4
 |
Концентрация собственных носителей заряда в различных полупроводниках.| Порог поглощения германия. [46] |
Более того, можно последовательно наблюдать переходы между различными ветвями зон валентной и проводимости, в то время как электрические измерения дают лишь минимальные энергетические расстояния между двумя зонами. Каждая зона в действительности составлена из нескольких перекрывающих друг друга ветвей. [47]
В частности, для двух электронов возможны конфигурации ( / 2g) ( ttg) ( eg) и ( eg) 2 расположенные на энергетическом расстоянии Д друг от друга. Расщепление этих конфигураций под влиянием межэлектронного взаимодействия приводят к электронным термам, взаимное расположение которых подобно таковому в теории кристаллического поля. [48]
Из сказанного выще ясно, что фотопроводимость может возникать только при возбуждении достаточно коротковолновым излучением, когда энергия фотонов hv превышает некое пороговое значение Это либо энергетическое расстояние между экстремумами валентной зоны и зоны проводимости - в случае собственного эффекта, - либо расстояние между экстремумами какой-либо из зон и донорным или акцепторным уровнем - в случае примесной фотопроводимости Длинноволновая граница фотопроводимости, а также спектральная зависимость фоточувствительности определяются главным образом оптическими свойствами материала. Поэтому изучение явлений фотоэффекта позволяет получить сведения об оптических свойствах материала. [49]
 |
Спектр ЭПР иона Со2 в силикатном. [50] |
В зависимости от того, находится ли ион Со2 в четверной или шестерной координации, нижайшим состоянием будет либо орбитальный синглет Г2, либо триплет Г4, соответственно энергетические расстояния между уровнями Г2, Г5 и Г4 составляют величины порядка нескольких тысяч обратных сантиметров. [51]
В частности, для двух электронов возможны конфигурации ( tzg) 2, ( t2g) ( eg) и ( eg) 2, расположенные на энергетическом расстоянии А друг от друга. Расщепление этих конфигураций под влиянием межэлектронного взаимодействия приводят к электронным термам, взаимное расположение которых подобно таковому в теории кристаллического поля. [52]
Оказывается, и в противоположном случае температурная зависимость времени жизни в логарифмическом масштабе имеет тот же вид четырех прямолинейных участков, причем по второму участку по-прежнему может быть определено энергетическое расстояние от уровня ловушек до края ближайшей зоны. [53]
Иначе говоря, уменьшение расстояния между атомами решетки приводит к росту взаимодействия между ними, к падению потенциального барьера, препятствующего переходам электронов от одного атома к другому, к расширению зоны и, в конечном счете, к увеличению энергетических расстояний между уровнями, ее составляющими. [54]
Таким образом, без учета взаимодействия между электронами конфигурация d2 в случае сильного поля лигандов образует три электронные конфигурации - ( tzg) 2, ( tzg) ( eg) и ( eg) 2, расположенные последовательно на энергетическом расстоянии Д друг от друга ( рис. II. В каждой из этих конфигураций электроны взаимодействуют между собой, давая начало нескольким энергетическим термам ( аналогично образованию термов конфигурации d2 свободного атома, стр. Метод расчета взаимного расположения этих термов на примере основной конфигурации ( tzg) 2 дается в разделе VIII. Однако последовательность расположения возбужденного состояния в этих двух предельных случаях существенно различна. [55]
Существенная разница между электронными переходами, происходящими просто при поглощении кванта, и переходами, приводящими к образованию свободных носителей, состоит в том, что первые из них связаны только с разницей энергий между конечным и начальным состояниями, в то время как вторые сильно зависят от энергетического расстояния уровня от потолка валентной зоны. [57]
В полупроводнике энергетическое расстояние, разделяющее уровень валентных электронов и уровень проводимости, очень мало и тепловая энергия валентных электронов при комнатной температуре достаточна, чтобы обеспечить заметную проводимость. Энергетическое расстояние для кремния составляет 1 11 эв, а для германия 0 72 эв. [58]
В идеальном диэлектрике, наоборот, все уровни основной зоны занятьи а уровни зоны проводимости свободны. Энергетическое расстояние между этими зонами, как правило, составляет несколько электрон-вольт. [59]
Очевидно, U3 и Ui показывают, какую работу совершат потенциальные силы при перемещении тела В из г3 или г на бесконечность. Энергетическое расстояние между t / i и U3, равное Ui - U3, показывает, какую минимальную работу надо совершить внешним силам, чтобы перенести тело В из точки г3 ( со дна потенциальной ямы) в точку Г ] ( на вершину потенциального барьера) в отсутствие непотенциальных сил и без изменения кинетической энергии тела В. [60]
Страницы: 1 2 3 4