Расчет - электронная структура
Cтраница 3
В табл. 4.9 приведены результаты расчетов электронной структуры кластеров в кристаллах КС1 и MgO. В кристалле КС1 сходимость результатов при увеличении кластера оказывается лучше, чем в кристалле MgO. Это объясняется более ионным характером химической связи в кристалле К. [31]
Сходные возможности имеют и программы расчетов электронной структуры молекулы. [32]
Рассмотрим теперь модель КРЭЯ для расчета электронной структуры примесного центра в анионной подрешетке - / - центра в кристалле К. [33]
Приближение ЛКАО стало основным в расчетах электронной структуры молекул, и именно на его основе разработаны основные расчетные схемы квантовой химии. Перенесение этих схем на кристаллические системы с использованием обсуждавшихся молекулярных моделей рассматривается в третьей главе. [34]
Одна из основных трудностей в расчетах электронной структуры кристаллов связана с проведением самосогласования при расчете в одноэлектронном приближении. В [1] отмечается: В большинстве кристалов мы не можем обойтись без самосогласованного расчета. Это обстоятельство представляет собой основное препятствие прогрессу в теории зонной структуры. Реальный путь проведения самосогласования связан с построением так называемых самосогласованных атомных потенциалов в кристалле - матричных элементов модельного ( одно-электронного) гамильтониана, входящих в атомный блок, с последующим испоьзованием их в несамосогласованном зонном расчете. [35]
 |
Диаграмма уровней МО октаэдрического комплекса [ MLe ] с учетом возможных я-взаимодействий металл - лиганд. [36] |
В настоящее время существует много методов расчета электронной структуры соединений, основанных на схеме МО ЛК. АО, отличающихся друг от друга - точностью и адекватностью результатов по отношению к экспериментальным данным. Каждый из этих методов может вполне удовлетворительно описывать одни характеристики молекулярных систем и быть непригодным для других. Поэтому при рассмотрении результатов расчетов электронной структуры соединений методом МО ЛКАО необходимо учитывать возможности использованного расчетного метода и границы его применимости. [37]
При использовании модели молекулярного кластера для расчета электронной структуры кристаллов с дефектами необходимо в каждом конкретном случае рассматривать саму возможность моделирования кристалла молекулярным кластером. [38]
 |
Рассчитанные контуры электронной зарядовой плотности вблизи поверхности А1 ( 111. ( Из работы Ванга и др., 1981 а. [39] |
На рис. 4.3 даны некоторые результаты расчетов электронной структуры реальных поверхностей. Из сравнения рисунков 4.2 и 4.3 ясно видна нарастающая локализация зарядовой плотности при переходе от простого метала к переходному металлу и затем к полупроводнику. [40]
Наконец, третье направление связано с кванто-вохимическими расчетами электронной структуры сложных соединений, что делает реальным определение свойств не только изолированных, но и реагирующих молекул и радикалов. Создание более совершенных теоретических и полуэмпирических методов квантовой химии наряду с применением ЭВМ делает это направление весьма перспективным при исследовании кинетики и механизма различных элементарных химических реакций. [41]
С использованием данной системы параметров были проведены расчеты электронной структуры и спектров большого ряда насыщенных и ненасыщенных углеводородов, аминов, спиртов, фторированных углеводородов и спиртов, аминов и альдегидов. [42]
 |
Кривые потенциальной энергии исходной системы ( А и той же системы после удаления электрона ( Б. [43] |
Как уже отмечалось, основным недостатком всех расчетов электронной структуры кластеров является то, что они проводятся для некоторых модельных геометрических форм, которые могут существенно отличаться от реальных стабильных конфигураций атомов. [44]
Поэтому теоретический подход или метод, применяемый при расчете электронной структуры молекул, должен приводить к выражениям для ожидаемых значений, включающим прямо пропорциональную зависимость от числа электронов в изучаемой системе. Это позволяет проводить осмысленные сопоставления свойств атомов и молекул различных размеров. Модели независимых электронов, как, например, широко используемое приближение Хартри - Фока, лежат в основе размерно-согласованной теории атомной и молекулярной структуры. Однако многие теоретические методы учета эффектов электронной корреляции характеризуются нелинейной зависимостью от числа рассматриваемых электронов. Например, метод конфигурационного взаимодействия, ограниченный учетом одночастичных и двухчастичных возбуждений относительно однодетерминантной исходной функции, приводит к выражениям для корреляционной энергии, включающим зависимость от квадратного корня из числа электронов системы. Методы рассмотрения корреляционных эффектов, приводящие к прямой зависимости корреляционной энергии и других коррелированных ожидаемых значений от числа электронов в системе, основаны ( прямо или косвенно) на использовании теоремы о связных диаграммах. Теорема о связных диаграммах и является предметом обсуждения в настоящей главе. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5