Cтраница 1
Газотранспортные реакции осуществляют методами запаянной амплитуды и открытой трубы. Для выращивания эпитаксиальных слоев кремния наиболее широко применяют метод открытой трубы. Этот метод позволяет контролировать и регулировать рост пленки, облегчает процесс легирования эпитаксиальных пленок и обеспечивает хорошую воспроизводимость результатов. При получении кремниевыех эпитаксиальных пленок путем восстановления тетра-хлоридов кремния над кремниевыми подложками, помещенными в реактор, пропускают поток водорода, содержащий пары тетра-хлорида кремния. [1]
Методы газотранспортных реакций получили широкое применение также для кристаллизации веществ, монокристальные пленки которых трудно получить иными методами. [2]
При проведении газотранспортной реакции в закрытой системе скорость массопереноса часто лимитируется не скоростью гетерогенных реакций, а определяется скоростью перемещения парогазовой фазы между зонами. Поскольку по закону Паузениля скорость газовых потоков пропорциональна четвертой степени диаметра трубы, на практике целесообразно использовать ампулы возможно больших диаметров. В проточных системах скорость массопереноса регулируется скоростью потока транспортера, что дает возможность увеличить скорость транспорта. Помимо этого, в методе протока легко вводятся в систему легирующие примеси ( для получения определенного типа проводимости и заданных физических свойств), а также избыток одного из компонентов системы. [3]
В методе газотранспортных реакций применяются более низкие температуры, чем в металлургических процессах. Это уменьшает возможность взаимодействия с деталями аппаратуры, повышает чистоту продукта и облегчает выбор материалов. Этот шо-соб наиболее приемлем для получения материала в виде низкотемпературной модификации. [4]
В методе газотранспортных реакций применяются более низкие температуры, чем в металлургических процессах. Это уменьшает возможность взаимодействия с деталями аппаратуры, повышает чистоту продукта и облегчает выбор материалов контейнера. Этот по соб наиболее приемлем для получения материала в виде низкотемпературной модификации. [5]
Данные о получении методом газотранспортных реакций тройных соединений, содержащих кислород или теллур, в литературе отсутствуют. Имеется сообщение [51] о получении на поверхности сапфира слоя шпинели MgAl2O4 в атмосфере водорода и в присутствии паров MgO при 1500 - 1900 С. [6]
Таким образом, вопросы применимости газотранспортных реакций для выращивания кристаллов многих тройных соединений в настоящее время еще не выяснены и подлежат изучению. Однако перспективность их применения для получения кристаллов сложных составов несомненна. [7]
Небольшие монокристаллы двуокиси олова получены газотранспортной реакцией с водяным паром. [8]
Монокристаллы этих соединений были выращены методом газотранспортных реакций в двухзонной печи, где использовалось линейное падение темпе-ратуры по всей длине ампулы либо сохранялись различные средние градиенты между температурными плато ( на температурных кривых) в зонах сублимации и роста. [9]
Было установлено, что при помощи газотранспортных реакций можно получать легированные кристаллы. [10]
Методы выращивания тройных арсенидов и антимонидов при помощи газотранспортных реакций в литературе не описаны. Наши опыты, поставленные для выяснения возможности выращивания кристаллов CdSnAs2) а также некоторых тройных антимонидов с помощью различных транспортеров пока не дали положительных результатов. [11]
Эпитаксиальное наращивание пленок арсенида индия осуществляется при помощи газотранспортных реакций. В качестве транспортных реагентов чаще других применяются галогены - хлор и иод. [12]
Одним из способов получения ферритовых пленок является метод химических газотранспортных реакций. Подложка при этом располагается на расстоянии 0 3 - 0 4 мм над поверхностью источника, которым является тонкая пластина из феррита 2ВТ, изготовленная по обычной технологии. В течение нескольких минут реакции при 1300 С на поверхности подложки образуется ферритовая пленка. При снижении температуры до 1100 С рост пленки происходит в направлении [111], которое является осью легчайшего намагничивания. Быстродействие пленок почти не меняется при увеличении толщины пленки до 200 мкм. [13]
Получают непосредственным взаимодействием простых веществ, а также газотранспортной реакцией. Температура плавления 1100 - ISCXFC; окисляются при температуре выше 1273 К, химически устойчивы. Моносилицид марганца легко разлагается галогенами. Кислород и пары НУЭ начинают разлагать его при 1000 С. [14]
Эпитаксиальные п - слои арсенида галлия были получены методом газотранспортных реакций в проточной системе с использованием в качестве исходных веществ треххлористого мышьяка и металлического галлия. Основанием для выбора системы АзС13 - Ga - Н2 послужило то обстоятельство, что эти вещества могут быть получены высокой степени чистоты. [15]