Cтраница 4
Чтобы происходил газотранспортный процесс, необходимо условия термодинамического равновесия в различных частях реакционной системы изменить. Реже газотранспортные реакции проводят в изотермических условиях, создавая перепад давления. [46]
Метод газотранспортных реакций относится к числу химических. Этот метод служит не только способом получения, но может также использоваться для глубокой очистки, выращивания монокристаллов, пленок и эпитак-сиальных слоев, К достоинствам метода относятся простота аппаратурного оформления; возможность управления составом растущего кристалла; менее жесткие требования, предъявляемые к конструкционным материалам. [47]
Метод газотранспортных реакций относится к числу химических. Этот метод служит не. К достоинствам метода относятся простота аппаратурного оформления; возможность управления составом растущего кристалла; менее жесткие требования, предъявляемые к конструкционным материалам. [48]
Скорость массопереноса может быть ограничена либо диффузионными и конвекционными процессами, либо скоростью гетерогенных реакций, протекающих в зоне источника и в зоне кристаллизации. В большинстве исследованных газотранспортных реакций скорость массопереноса лимитируется процессами перемещения газа между зонами реакций. [49]
Перенос вещества при газотранспортных реакциях осуществляется при наличии градиента концентрации между зонами, который создается разностью температур или давлений. [50]
Процессы сублимации и десублимации часто сочетаются с химическими процессами. При этом особенно часто используются так называемые газотранспортные реакции. Эти комбинированные процессы будут рассмотрены ниже ( см. разд. [51]
Использование химических транспортных реакций для наращивания монокристальных пленок соединений AniBv получило широкое применение по той причине, что почти все другие способы их выращивания сопряжены с большими трудностями вследствие тугоплавкости этих соединений, химической активности составляющих их элементов и самого расплава, а также высокого равновесного давления паров элементов пятой группы. Все эти трудности можно преодолеть, сочетая газотранспортные реакции переноса и эпитаксиальную кристаллизацию. В этом случае соединения кристаллизуются при температурах заметно ниже точки плавления, позволяя избежать избирательного реиспаре-ния компонентов. [52]
Эпитаксиальное наращивание осуществляется многими технологическими методами. Для наращивания кремния на кремниевую полупроводниковую подложку обычно используются газотранспортные реакции. Восстановление кремния производится из тетрахлорида кремния ( SiCU) при температуре 1200 - 1300 С. [53]
В последнее время находит все возрастающее применение для выращивания монокристаллов различных соединений метод газотранспортных реакций. Представляя собой одну из разновидностей методов выращивания кристаллов из газовой фазы, газотранспортные реакции обладают тем преимуществом, что могут протекать при сравнительно низких температурах. Это обстоятельство весьма ценно при получении монокристаллов тугоплавких полупроводников. Кроме того, газотранспортные реакции являются перспективными для выращивания кристаллов веществ, плавящихся инконгруэнтно, так как рост кристаллов может происходить в этом случае при температурах, значительно более низких, чем температура плавления соединения. [54]