Газотранспортная реакция

Cтраница 3

Атомы кремния и германия выделяются из тетрахлоридов под действием водорода в потоке газов ( газотранспортные реакции) и обычно осаждаются эпитаксиально на горячих подложках. Легирующие примеси вводят, добавляя летучие вещества в тетрахлорид или в систему газообразных веществ в виде отдельного потока, регулируемого игольчатыми вентилями. [31]

Атомы кремния и германия выделяются из тетрахло-ридов под действием водорода в потоке газов ( газотранспортные реакции) и обычно осаждаются эпитаксиально на горячих подложках. Легирующие примеси вводят, добавляя летучие вещества в тетрахлорид или в систему газообразных веществ в виде отдельного потока, регулируемого игольчатыми вентилями. Этим методом выращивают многослойные монокристаллические пленки с контролируемым содержанием и распределением примесей в слоях. Метод требует очень высокой чистоты и точности обработки поверхности полупроводника, являющегося подложкой. [32]

Этот метод перспективен для определения следов галогенидов в сложных полупроводниковых сплавах, полученных методом газотранспортных реакций. [33]

Другие примеры рассмотрены при изучении выращивания легированных кристаллов и при обсуждении вопросов, определяющих кинетику газотранспортных реакций ( гл. [34]

Методом иодидного рафинирования можно получить гафний высокой чистоты и пластичности, так как образующийся при газотранспортных реакциях металл не контактирует со стенками реактора или с инородными газами. Качество металла обеспечивается правильным выбором конструкционных материалов, хорошей герметизацией установки, высоким вакуумом и качеством шихты. [35]

Изучение макрокипетики, и в частности конвективного массо-переноса в газовой фазе при травлении и выращивании монокристаллов методом газотранспортных реакций, представляет непосредственный интерес для технологии получения эпитаксиальных слоев и твердых схем микроэлектроники. Известно, например, что перевод всего процесса в диффузионный режим способствует получению более совершенной структуры пленок и равномерному распределению в них примесей. [36]

Процесс кристаллизации соединения AHI BV из расплава не-стехиометрического состава перемещением лодочки вдоль неподвижного температурного градиента.| Процесс кристаллизации соединения Аш BV из расплава несте-хиометрического состава изменением положения температурного градиента при неподвижной лодочке. [37]

Монокристаллы различных морфологических форм, эпитаксиаль-ные слои и тонкие пленки фосфида галлия получаются в зависимости от условий проведения газотранспортных реакций. Реагентами-транспортерами для фосфида галлия могут быть С12, I2, HC1, Н2О, хлориды некоторых металлов. [38]

Наибольшее значение Voc было получено в [ Yoshikawa, Sakai, 1977 ], где элементы изготовляли методом газотранспортной реакции в замкнутой системе. [39]

Спектральные характеристики относительной энергии излучения W. / Wm люминофоров на основе сульфида и селенида цинка с различным, содержанием сульфида цинка. / - 100 %. 2 - 61 %. 3 - 20 %. 4 - 0 %. В качестве плавня введено 2 % NaCl, в качестве активатора. 0 005 % Agj прокаливание проведено при 780 С в течение 1 ч. [40]

Монокристаллы CdS могут быть получены выращиванием из его расплава под давлением, сублимацией CdS, осаждением из парообразной фазы в результате газотранспортной реакции паров кадмия с H2S, синтезом из Cd и S в газовой фазе при температуре 900 С. [41]

В работе Ревалда и Харбека [582] приведены результаты исследования электропроводности, коэффициента Холла и подвижности носителей в монокристаллах In2S3, полученных методом газотранспортных реакций. [42]

Что-касается тройных нитридов, фосфидов, арсенидов и анти-монидов, то в литературе также почти полностью отсутствуют сведения о получении их при помощи газотранспортных реакций. [43]

Пленки соединений II-IV групп осаждают [114] с использованием химической реакции между парами металла и гидридами элементов VI группы, при этом в процессе газотранспортной реакции пары соединений II-VI групп переносятся с помощью НС1 или НВг, а гидриды элементов VI группы взаимодействуют с металлорганическими соединениями, содержащими диэтиловые или диметиловые группы. [44]

Для получения монокристаллических пленок кремния на подложке из сапфира ( - модификация А12О3), имеющего почти такие же, как у кремния, параметры кристаллической решетки, используют метод вакуумного осаждения в высоком вакууме ( 10 - 9 мм рт. ст.) или метод газотранспортных реакций. Низкое давление ( 10 - 9 мм рт. ст.) при вакуумном осаждении необходимо для того, чтобы не происходило окисление кремния в процессе испарения. [45]

Страницы: 1 2 3 4