Режим - насыщение
Cтраница 1
 |
Простейший транзисторный ключ ( а и его динамические характеристики ( б. [1] |
Режим насыщения определяется не абсолютной величиной токов, а их отношением и может иметь место при весьма малых токах порядка десятков микроампер и меньше. [2]
Режим насыщения, соответствующий большим отрицательным сигналам напряжения на базе U & 0 ( для р - п - р-триодов) и большим значениям тока в цепи базы. Триод находится в области насыщения, если ток коллектора ограничен сопротивлением нагрузки Д, а ток базы / б превышает некоторое значение тока, характеризующее насыщение триода. [3]
Режим насыщения будет длиться до тех пор, пока / Обр 1пы и / Р2 / р2м - Когда / обр и / Р2 становятся равными соответственно / шм и / Р2м, неравновесная концентрация на переходе j достигает нуля. Необходимое для обеспечения максимально возможного тока выведения значения / У. [4]
Режим насыщения в микроамперном диапазоне токов может быть использован для построения усилителей с небольшими коэффициентами усиления. [5]
Режим насыщения соответствует замкнутому состоянию транзистора. В этом случае транзистор имеет минимальное сопротивление постоянному току Лоткр, равное сопротивлению двух р-п-переходов, включенных в прямом направлении Лоткр С / Кнас / / Кнас, где t / кнас - остаточное напряжение на транзисторе в замкнутом состоянии. [6]
Режим насыщения в схемах с полупроводниковьши триодами обычно наблюдается при малых положительных напряжениях на коллекторе; при этом переход оказывается смещенным в прямом направлении и концентрация дырок у коллектора становится отличной от нуля. [7]
Режим насыщения наиболее часто наблюдается в импульсных схемах, где за счет больших перепадов тока напряжение на коллекторе, даже при малых сопротивлениях нагрузки, может стать близким к нулю. [8]
 |
Схемы логических расширителей DTL-схем.| DrL-схема со свободным коллектором. [9] |
Режим насыщения не позволяет использовать высокие частотные свойства транзисторов в интегральной схеме, так как основная задержка передачи информации определяется временем рассасывания заряда при выключении насыщенного транзистора. [10]
Режим насыщения - напряжения на обоих переходах прямые. [11]
Режим насыщения наступает при избыточном отпирающем сигнале в цепи управления. При этом выходное сопротивление транзистора уменьшается до весьма малой величины и ток выходной цепи определяется в основном сопротивлением нагрузки. [12]
 |
Статические характеристики транзистора. типа П15, снятые в схеме с общей базой. [13] |
Режим насыщения характерен для большинства ключевых импульсных схем. [14]
Режим насыщения позволяет получить наибольший перепад и стабильность выходного напряжения и наименьшую мощность рассеяния в транзисторе, однако серьезным недостатком режима насыщения является существенное запаздывание заднего фронта импульсов при запирании ключа. Это связано с накоплением и последующим рассасыванием носителей тока в базе. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5