Режим - насыщение
Cтраница 3
Режим насыщения характеризуется тем, что оба перехода, эмиттерный и коллекторный, смещены в прямом направлении. Концентрации избыточных носителей в базе повышены по сравнению с активным режимом. Распределение неосновных носителей в базе р-п - р структуры, работающей в режиме насыщения, представлено на рис. 4.21. Пунктирной линией показано распределение дырок при работе структуры в активном режиме, когда через цепь коллектора протекает тот же ток, что и в режиме насыщения. Действительно, в обоих случаях имеется одинаковый градиент концентрации дырок, обеспечивающий одинаковый диффузионный ток. [31]
 |
Характеристики передачи тока. [32] |
Режим насыщения получается и при небольших отрицательных напряжениях на коллекторе. [33]
Режим насыщения в микроамперном диапазоне токов может быть использован для построения усилителей с небольшими коэффициентами усиления. [34]
Режим насыщения характеризуется избыточным током базы и тем, что оба р-п перехода транзистора смещены в прямом направлении. [35]
Режим насыщения трансформатора характеризуется уменьшением КПД схемы ТДК и снижением ее надежности, поскольку создаются условия для вторичного пробоя в мощных транзисторах. [36]
Режим насыщения диода позволяет удобно регулировать величину шумового напряжения Um на нагрузке диода R, так как шумовой ток / ш зависит от величины тока насыщения Is - В рассматриваемой схеме величины шумового тока / ш, а следовательно, и напряжения 1 / ш регулируются изменением напряжения накала диода при помощи резистора Rn. Для разделения постоянной составляющей анодного и переменной составляющей шумового токов используются дроссель L и конденсатор С. [37]
До режима насыщения увеличение тока эмиттера приводит к увеличению тока коллектора. При насыщении дальнейшее увеличение тока эмиттера не вызывает увеличения коллекторного тока. [38]
Наличие режима насыщения отрицательно сказы - Q вается а быстродействии импульсных схем, не говоря уже о том, что в усилительных схемах его следует избегать. [39]
Особенностью режима насыщения является также и то, что условие Ni N2 сохраняется, если мощность излучения, падающая на систему, будет превышать мощность, необходимую для насыщения. Это означает, что заселенность возбужденного состояния перестает зависеть от мощности падающего излучения, иными словами, и от флуктуации падающей мощности. Это улучшает отношение сигнала к шуму. [40]
Для режима насыщения характерна двусторонняя инжек-ция неосновных носителей через эмиттерный и коллекторный переходы, включенные в прямом направлении. При этом каждый переход не только инжектирует неосновные носители в базу, но и собирает подходящие к его границе носители, инжектированные в базу соседним переходом. В режиме насыщения при том же токе эмиттера ток базы больше, чем в активном режиме [ см. (4.6) ], так как он имеет дополнительные слагаемые, связанные с инжекцией дырок из базы в коллектор и рекомбинацией электронов, инжектированных из коллектора в базу. [41]
Особенности режима насыщения полупроводникового триода в ряде случаев определяют характер установления стационарных автоколебаний в генераторах. Поэтому нелинейность генератора почти гармонических колебаний, работающего в режиме с насыщением, не может считаться малой, что требует применения при теоретическом исследовании такого генератора одного из методов анализа импульсных систем. [42]
В режиме насыщения ( [ / а0) анодный ток равен току эмиссии катода, который лишь незначительно возрастает при увеличении анодного напряжения за счет эффекта Шоттки. В промышленных типах диодов вследствие высокой эмиссионной способности ( оксидного) катода насыщение анодного тока достигается только в импульсном режиме. [43]
В режиме насыщения триод может оставаться в открытом состоянии в течение некоторого времени после выключения сигнала насыщения в цепи базы. Это объясняется тем, что при насыщении триода в его базе появляется избыточная концентрация неосновных носителей заряда. Так как при насыщении потенциал коллектора мал, то после выключения сигнала тока в цепи базы в течение некоторого времени происходит рассасывание неосновных носителей тока путем рекомбинации и этим как бы удлиняется действие входного сигнала. При этом время выключения триода получается примерно в 2 - 3 раза больше, чем время его включения. В режиме насыщения коллекторная цепь не в состоянии собирать все неосновные носители ( дырки), инъектируемые эмиттером, и поэтому в базе накапливается их избыточное число. В режиме насыщения напряжение между эмиттером и коллектором UK ( а также 17бэ и икб) весьма мало и составляет величину порядка 0 05 - 0 1 в. При этом сопротивление постоянному току в цепи коллектора составляет величину порядка 1 - 25 ом, а у мощных триодов даже доли ома. Так как падение напряжения между двумя любыми электродами триода мало, то это в ряде случаев позволяет считать насыщенный триод узловой точкой с общим потенциалом всех электродов, и триод как бы стягивается в точку. [44]
В режиме насыщения магнитное сопротивление стержня 2 возрастает и увеличение магнитного потока Ф2 прекращается. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5