Режим - насыщение
Cтраница 2
Режим насыщения характеризуется очень малыми напряжениями между электродами транзистора. [16]
Режим насыщения характеризуется коэффициентом ка насыщения, определяющим глубину насыщения. [17]
Режим насыщения достигается при наличии базового тока / б ( фиг. [18]
 |
Статические характеристики идеализированного транзистора. [19] |
Режим насыщения характерен для ключевых импульсных схем и будет рассмотрен в гл. [20]
Режим насыщения сохраняется и тогда, когда ток / б1 падает до начального значения / 6i ( 0) s EJR, поскольку и это значение намного больше, чем ток до регенерации. [21]
Режим насыщения соответствует замкнутому состоянию транзисторного ключа, при котором через нагрузку проходит максимальньт ток / / кн - При этом как падение напряжения на транзисторе, так. [22]
Режим насыщения достигается уже при IB / Б Н к н / i h - 2i9 - Дальнейшее увеличение тока базы IB / Б, и не изменяет тока в коллекторной цепи. [23]
 |
Схема включения ин.| Зэиисимость ионизационного тока / от приложенного электрического поли Е.| Схема включения импульсной ионизационной камеры. [24] |
Режим насыщения достигается при достаточно большой скорости дрейфа электронов и ионов. При работе с чистыми многоатомными газами для насыщения требуются существенно большие К. [25]
Режим насыщения соответствует замкнутому состоянию транзистора. [26]
Режим насыщения соответствует открытому состоянию клю а, при этом оба перехода транзистора смещены в прямом направлении. [27]
Режим насыщения - напряжения на обоих переходах прямые. [28]
Режим насыщения ( формула (7.8)), по-видимому, практически не достигается. Нераспространение трещин при / Ci Kiscc объясняется ухудшением условий доставки водорода в вершину трещины и образованием защитных окисных пленок вследствие конкурирующего процесса окисления металла. Переход от нераспространения к распространению - сравнительно плавный. [29]
 |
Выходные характеристики и линия нагрузки транзистора.| Распределение неосновных носителей в базе транзистора, работающего в режиме насыщения. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5