Режим - насыщение
Cтраница 4
В режиме насыщения этого транзистора ток вывода электронов из р-базы меньше максимально возможного, а ток дырок превышает минимальное значение, соответствующее активному режиму. [46]
В режиме насыщения, пренебрегая весьма малым ( в отличие от кремниевого транзистора) падением напряжения на переходах, можно считать, что все три электрода транзистора практически замкнуты между собой. [47]
В режиме насыщения ток стока меняется незначительно при L / з const, поэтому Ri имеет значения от нескольких десятков до сотен килоом. [48]
 |
Ограничитель на транзисторе. [49] |
В режиме насыщения ток коллектора при увеличении тока базы остается неизменным. [50]
 |
Нагрузочная характеристика УНЧ.| Схема простейшего УНЧ на транзисторе с ОЭ. [51] |
В режиме насыщения дальнейшее увеличение тока эмиттера практически не вызывает увеличения тока коллектора. При переходе транзистора в режим насыщения происходит смена знака коллекторного напряжения: UK становится положительным. [52]
 |
Нагрузочная характеристика усилителя.| Схема простейшего. [53] |
В режиме насыщения дальнейшее увеличение тока эмиттера практически не вызывает увеличения тока коллектора. При переходе транзистора в режим насыщения происходит смена знака коллекторного напряжения: UB становится положительным. [54]
В режиме насыщения внутреннее сопротивление транзистора уменьшается почти до нуля, так что все напряжение источника Ех оказывается почти целиком приложенным к Rx ( резистор как бы накоротко соединяется с землей) и на выходе устанавливается потенциал, близкий к нулю. [55]
В режиме насыщения под коэффициентом инжекции ys следует понимать не дифференциальный параметр, а отношение полного дырочного тока эмиттера / к полному току эмиттера 1э, заданному на входе. В этом случае коэффициент инжекции, как следует из ( 1 - 70) и ( 1 - 74), будет зависеть от напряжения на коллекторе VK и при VK0 может стать заметно меньше единицы. [56]
 |
Процесс импульсного намагничивания. [57] |
В режиме насыщения магнитное сопротивление стержня 2 возрастает и увеличение магнитного потока Ф2 прекращается. [58]
 |
Схемы включения биполярных транзисторов. [59] |
В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в них происходит инжекция носителей, транзистор превращается в двойной диод, ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5