Режим - отсечка
Cтраница 1
Режим отсечки обеспечивается в случае положительного ( запирающего) напряжения база-эмиттер. В отличие от нуль-индикатора входной сигнал логических элементов однополярен и различается для случаев 0 и 1 по абсолютному значению. Поэтому в данной схеме для изменения знака напряжения база - эмиттер используется дополнительный источник смещения Ес с полярностью, противоположной полярности входного сигнала. [1]
Режим отсечки или запирания - напряжения на обоих переходах обратные. [2]
Режим отсечки реализуется, если напряжение на базе транзистора С / б меньше порогового значения С / бэ.пор. Согласно входным характеристикам транзистора, С / бэ.пор. - 0 68 В. [3]
Режим отсечки, наоборот, характеризуется размыканием цепи коллектора. Для получения состояния отсечки необходимо закрыть эмиттерный переход транзистора, преградив путь току в направлении от эмиттера к базе. С этой целью отключают эмиттер, подают на базу положительное относительно эмиттера запирающее напряжение или шунтируют переход резистором с достаточно малым сопротивлением. В мультивибраторах запирание ( отсечка) транзисторов происходит под воздействием положительных напряжений, подаваемых с предварительно заряженных конденсаторов. [4]
 |
Рабочая схема ТЛЭС с выровненными логическими уровнями на входе и выходе. [5] |
Режим отсечки характеризуется малыми токами при значительных напряжениях, а режим насыщения, наоборот, малыми напряжениями при больших токах. Последнее сочетание относится и к ненасыщенным ключам. [6]
Режим отсечки имеет место при обратном смещении коллекторного и эмиттерного переходов. В этом случае базовый и коллекторный токи одинаковы, мало зависят от f / кэ и равны обратному току коллектора / кю - Надежный режим отсечки получается, если между базой и эмиттером имеется обратное напряжение. [7]
 |
Токи идеализированного транзистора при глубокой отсечке.| Статическая схема замещения запертого транзистора. [8] |
Режим отсечки может быть более или менее глубоким. [9]
Режимы отсечки и насыщения позволяют использовать транзистор в качестве ключа в разомкнутом ( отсечка) и замкнутом ( насыщение) состояниях для переключения как больших сигналов, так и малых. Транзистор в режиме с малыми сигналами может работать в качестве коммутирующего элемента в схемах бесконтактных модуляторов. [10]
Режим отсечки характеризуется малой величиной тока / К0, в коллекторной цепи закрытого транзистора, который не должен превышать 0 1 ма. Значение тока в коллекторной цепи закрытого транзистора сильно зависит от температуры, поэтому при расчете следует брать значение этого тока при максимальной температуре окружающей среды 1к0 макс, в которой будет работать схема. [11]
 |
Принципиальная схема включения транзистора. [12] |
Режим отсечки соответствует условию подачи на базу положительного напряжения. В этом режиме коллекторный ток равен обратному току коллектора / ко - Величина / ко различна у различных транзисторов и измеряется единицами микроампер. [13]
Режим отсечки или запирания - напряжения на обоих переходах обратные. [14]
 |
Структура биполярного транзистора.| Схемы транзисторов ( а и их условное обозначение ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5