Режим - отсечка
Cтраница 2
Режим отсечки имеет место в том случае, когда оба перехода смещены в обратном направлении. В этом случае токи во внешних цепях малы и соизмеримы с обратным током одного из переходов. О транзисторе при этом говорят, что он заперт. [16]
Режимы отсечки и насыщения являются смежными с активным режимом, в котором транзистор работает как усилитель сигнала. [17]
Режим отсечки наступает с появлением в цепи управления запирающего сигнала, достаточного для полного запирания транзистора. При этом в выходной цепи протекает неуправляемый ток очень малой величины, а сопротивление транзистора велико. [18]
Режим отсечки характеризуется малыми токами при значительных напряжениях, а режим насыщения, наоборот, малыми напряжениями при больших токах. Последнее сочетание относится и к ненасыщенным ключам. Очевидно, что мощности, рассеиваемые транзистором в двух основных состояниях ключа, меньше, чем в активном режиме. Отсюда следует, что рабочий ток в ключе может значительно превышать ток, допустимый в усилительном каскаде. Такой вывод в общем справедлив и подтверждается справочными данными. Однако при решении вопроса о допустимых токах в ключе не следует забывать о мощности, рассеиваемой при формировании фронтов, когда транзистор временно находится в активном режиме. При большой частоте переключений эта мощность играет существенную, а иногда определяющую роль. Оценим мощности во всех трех режимах ключа ОЭ. [19]
 |
Схемы выходных усилителей мощности. [20] |
Режим отсечки транзисторов Т3 и Г4 обеспечивается цепочкой сопротивлений JRa - jR10 и кремниевым диодом Дг. [21]
Режим отсечки анодного тока обеспечивается достаточно большим отрицательным напряжением на сетке лампы относительно, катода. Величина отрицательного напряжения должна быть такой, чтобы режим отсечки не нарушался при отклонениях напряжений источников питания и параметров деталей схемы в пределах допусков на них. Следовательно, одна из ламп триггера должна быть закрыта с запасом, обеспечивающим это состояние при отклонениях параметров схемы и наличии помех. [22]
 |
Схема реверсивного реле с коллекторной связью на триодах С проводимостью противоположного типа. [23] |
Режим отсечки входного триода запертого плеча поддерживается за счет падения напряжения между эмиттером и базой входного триода открытого плеча. Таким образом, данное состояние является устойчивым. [24]
 |
Графическое определение f / к-н в ключе ОЭ. [25] |
Характеристики режимов отсечки и насыщения можно получать графически, рассматривая положения рабочих точек ключевого каскада в семействе выходных характеристик транзистора. Практически таким способом можно определять напряжения на базе и коллекторе насыщенного транзистора, так как остаточные токи запертого транзистора в масштабах, принимаемых при построении характеристик, неощутимы. [26]
В режиме отсечки на оба перехода подаются обратные напряжения. Последние определяются физическими процессами в переходах и не зависят от распределения неосновных носителей в базе, эмиттере и коллекторе. Так как площадь и толщина коллекторного перехода больше, чем эмиттерного, то согласно (2.18) / КБО С / ЭБО. [27]
В режиме отсечки эмиттер и коллектор транзистора имеют отрицательный потенциал относительно базы. [28]
В режиме отсечки переходы смещены в обратном направлении, а через транзистор проходят сравнительно небольшие точки утечки. [29]
В режиме отсечки напряжение коллектора нкэ постоянно и равно напряжению источника питания кэ, но напряжение коллекторного перехода иц6 изменяется за счет изменения напряжения базы на ту же величину, что и напряжение эмиттерного перехода. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5