Cтраница 4
В режиме отсечки эмиттерный переход смещается в обратном направлении, а в режиме насыщения коллекторный переход смещается в прямом направлении. В том и другом случаях контроль выходного сигнала входным теряется, что совершенно недопустимо. Поэтому нужно избегать отсечки и насыщения даже при экстремальных значениях выходного напряжения. Кроме этого, выходная мощность транзистора, его выходной ток и напряжение не должны превышать допустимых значений. [46]
Схема транзисторного ключа ( а и ВАХ ( б. [47] |
В режиме отсечки оба р-я-перехода смещены в обратном направлении, через нагрузку проходит минимальный ток, равный обратному току коллекторного перехода. [48]
В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. [50]
В режиме отсечки оба р-п перехода выходного биполярного транзистора смещены в обратном направлении и через транзистор протекает крайне малый ток ( обратный ток коллектора / КБО), который иногда еще называют тепловым или неуправляемым током коллекторного перехода. [51]
Одна из структур реального транзистора. [52] |
В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. [53]
При режиме отсечки части транзистора, примыкающие к его переходам, сильно обеднены неосновными носителями заряда. [54]
Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются во всех расчетах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи, уже обсуждавшиеся в предыдущих параграфах. [55]
Для обеспечения режима отсечки транзисторов необходимо обеспечить указанную полярность напряжения на переходах. [56]
Токи в транзисторе, включенном по схеме ОЭ. [57] |
КБО соответствует режиму отсечки. [58]
Транзисторный ключ.| Схемы замещения транзистора в режимах отсечки ( а и насыщения ( б. [59] |
Транзистор в режиме отсечки может быть представлен схемой замещения рис. 3.5, а, содержащей только один источник тока / КБО, включенный между базой и коллектором. [60]