Режим - отсечка
Cтраница 3
В режиме отсечки ток коллектора равен / К0 и примерно на порядок превышает ток эмиттера. Напряжение на коллекторном переходе составляет Es Еб и обычно в несколько раз больше напряжения Еб на эмиттерном переходе. [31]
 |
Структуры транзисторов.| Основные области транзистора. [32] |
В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. [33]
В режимах отсечки и насыщения управление в транзисторе отсутствует. Напряжения между электродами ( режим отсечки) и токи открытого транзистора ( режим насыщения) определяются параметрами компонентов внешних цепей. В активном режиме эмиттерный ток р-я-перехода управляет током коллектора. Активный режим называется усилительным. [34]
 |
Схемы включения биполярных транзисторов. [35] |
В режиме отсечки к обоим переходам подводят обратные напряжения, при которых ток, проходящий через транзисторы, ничтожно мал. [36]
В режиме отсечки оба перехода закрыты. Он характеризуется очень малыми токами через запертые переходы транзистора. [38]
В режиме отсечки ( точка А на выходной характеристике с / б 0) почти все напряжение питания Ек приложено к транзистору. В нагрузке Як протекает незначительный ток, равный обратному току коллекторного перехода. Потенциал базы положителен по отношению к эмиттеру. Этот режим соответствует разомкнутому состоянию транзисторного ключа. [39]
 |
Конструкция мощного биполярного транзистора.| Границы режимов мощного биполярного транзистора. [40] |
В режиме отсечки почти все напряжение коллектор-эмиттер приходится на коллекторный переход. [41]
В режиме отсечки через запертый транзистор протекает неуправляемый ток коллектора / ко - который зависит от типа транзистора и температуры. [42]
 |
Семейства статических характеристик.| Семейства статических характериств. [43] |
В режиме отсечки оба р-п перехода транзистора работают в обратном направлении. [44]
В режиме отсечки ток коллектора равен / К0 и примерно на порядок превышает ток эмиттера. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5