Инверсный режим
Cтраница 1
Инверсный режим редко встречается в схемах на дискретных транзисторах, но его необходимо знать для понимания режима насыщения, который широко используют в импульсных и цифровых схемах. Кроме того, инверсный режим характерен для ряда интегральных схем. [1]
Инверсный режим имеет место, начиная с момента, когда транзистор начинает работать в области насыщения. Следовательно, инверсный режим налагается на предшествующий ему нормальный режим работы. Это значит, что составляющая тока базы, обусловленная рекомбинацией носителей из коллектора, течет через базу, сопротивление которей уже мало из-за наличия носителей, инжектированных из эмиттера. Поскольку заряд QN обычно преобладает над зарядом QJ, по-видимому, при определении сопротивления базы следует ориентироваться на величину, которая определяется по вышеуказанной методике при нормальном включении транзистора. [2]
 |
Процессы при включении транзистора ( а и выключении ( б. [3] |
Наиболее часто инверсный режим транзистора используется в двунаправленных ключах. В этом случае транзистор делается симметричным и его усиление практически не изменяется при замене коллектора и эмиттера. В таких транзисторах области коллектора и эмиттера имеют одинаковые свойства и геометрические размеры, поэтому любая из них может работать как эмиттер или коллектор. Для симметричных транзисторов характеристики в инверсном режиме подобны характеристикам в линейном режиме. [4]
 |
Модель идеализированного транзистора, включенного по схеме ОБ ( я и его входные ( б и выходные ( в характеристики. [5] |
В инверсном режиме носители зарядов инжектируются коллекторным переходом и коллектируются эмиттером. [6]
В инверсном режиме коллекторный переход включен в прямом направлении, поэтому в базу из коллектора инжектируются электроны. Подходя к эмиттерному переходу, включенному в обратном направлении, электроны под действием его электрического поля в переходе перемещаются ( экстрагируются) в эмиттер. [7]
 |
Модель идеализированного транзистора, включенного по схеме ОБ ( я и его входные ( б и выходные ( в характеристики. [8] |
В инверсном режиме носители зарядов инжектируются коллекторным переходом и коллектируются эмиттером. [9]
В инверсном режиме эмиттерный переход закрыт, а коллекторный открыт, т.е. транзистор включен наоборот: коллектор работает в качестве эмиттера, эмиттер - в качестве коллектора. Из-за особенностей конструкции реальных транзисторов усилительные свойства их в инверсном режиме, как правило, неудовлетворительны. [11]
В инверсном режиме меняются функции эмиттера и коллектора: к коллекторному переходу подключают прямое, а к эмиттерному - обратное напряжение. [12]
Положительные свойства инверсного режима наглядно проявляются при сравнении начальных участков коллекторных характеристик. [13]
 |
Микросхема ТТЛ на транзисторах Шоттки. [14] |
Мэ в инверсном режиме, что в конечном итоге приводит к повышению нагрузочной способности микросхемы. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5