Инверсный режим
Cтраница 3
He зависит от напряжения, так как зависит от процесса диффузии в базе МЭТ, работающего в инверсном режиме. При 4х - - вхтах напряжение на эмиттерном переходе МЭТ UMmax & - UB становится равным предельно допустимому. [31]
Контактная система путевых выключателей ВПК-ПАО, ВПК-НА1, ВПК-ПВО, ВПК-11Б1, ВПК-12АО, ВПК-12А1 работает в инверсном режиме. Таким образом, контакт з в исходном положении аппарата становится р контактом, а р - з контактом. [32]
На рис. 6.59, б приведена схема ключа на пар; биполярных транзисторов Т, Тг в инверсном режиме. При строго идентичных транзисторах оно равно нулю, Погрешности такого ключа аналогичны погрешностям диодного ключа. [33]
При напряжениях, соответствующих логическим единицам 1, на всех четырех входах Uml Еа и транзистор FT находится в инверсном режиме работы, при котором эмиттерный и коллекторный переходы меняются местами: управляющим становится коллекторный переход и общий ток эмиттеров / k / 6 н / к. [34]
Это дает возможность уменьшить остаточные напряжения на замкнутом ключе, что видно из ( 4 - 93) j куда для инверсного режима вместо а надо поставить ан и учесть, что а аи. [35]
Остаточное напряжение, соответствующее Ik О, можно существенно снизить, если в момент перехода коммутируемого тока через нуль транзистор будет работать в инверсном режиме. Для этого достаточно поменять местами выводы коллектора и эмиттера транзистора. Причина этого явления состоит в том, что в инверсной схеме включения выходным током является ток эмиттера, который мало ототчается от тока коллектора. [37]
В то же время необходимо отметить специфические особенности И2Л - элемента, предъявляющие дополнительные требования к технологическому процессу формирования активной структуры инжекционных транзисторов, к ним можно отнести инверсный режим работы п - р - n - транзисторов и многоколлекторную конструкцию элемента. [38]
 |
Нелинейная модель биполярного транзистора. [39] |
Модель предусматривает не только режим нормального включения транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллектор собирает носителей заряда, прошедших через область базы, но и инверсный режим, когда состояние переходов противоположно указанному. [40]
В модели транзистора ( рис. 2.36) элементы HCN и SN отражают нормальный режим его работы и связаны с инжекцией носителей из эмиттера, а элементы На и S / - инверсный режим и связаны с инжекцией носителей из коллектора. [41]
Диффузионная емкость коллекторного перехода Ско, определяемая как отношение приращения заряда дырок в базе к приращению напряжения t / кв, приложенного к переходу, имеет существенное значение при работе транзистора в инверсном режиме или в режиме насыщения. В активном режиме емкость Ски значительно меньше диффузионной емкости эмиттерного перехода, так как изменение напряжения С / КБ не приводит к изменению заряда инжектируемых носителей, как это происходит в эмиттерном переходе. Величина заряда в базе вблизи коллекторного перехода изменяется лишь вследствие модуляции ширины базы. [42]
Кроме рассмотренного выше, БТ может работать в следующих режимах: отсечки, когда оба перехода находятся под действием обратных напряжений; насыщения, когда оба перехода находятся под действием прямых напряжений; инверсном режиме, когда к эмиттерному переходу приложено запирающее напряжение, а к коллекторному переходу - отпирающее. Последний режим часто встречается при работе БТ в качестве ключа разнополярных-электрических сигналов. [43]
Кроме рассмотренного выше, БТ может работать в следующих режимах: отсечки, когда ооа перехода находятся под действием обратных напряжений; насыщения, когда оба перехода находятся под действием прямых напряжений; инверсном режиме, когда к эмиттерному переходу приложено запирающее напряжение, а к коллекторному переходу - отпирающее. Последний режим часто встречается при работе БТ в качестве ключа разнополярных-электрических сигналов. [44]
Если на все входы элемента ( эмиттеры транзистора Тм) поданы сигналы 1, соответствующие здесь высокому положительному уровню потенциала ( см. рис. 6.4, б), то все транзисторные структуры, образующие многоэмиттерный транзистор, работают в активном инверсном режиме. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5