Инверсный режим

Cтраница 2

Полная емкость МДП-структуры в инверсном режиме с ростом напряжения стремится к СДС06 мин / ( Сд Соб. [16]

Все статические характеристики в инверсном режиме работы подобны соответствующим статическим характеристикам транзистора при его нормальном включении. На рис. 3 - 16, б показаны коллекторные характеристики транзистора в схеме с ОЭ для инверсного включения, а на рис. 3 - 16 0 ( для сравнения в том же масштабе) - для обычного включения. [17]

Все статические характеристики в инверсном режиме работы подобны соответствующим статическим характеристикам транзистора при его нормальном включении. На рис. 3 - 16 6 показаны коллекторные характеристики транзистора в схеме с ОЭ для инверсного включения, а на рис. 3 - 16, в ( для сравнения в том же масштабе) - для обычного включения. [18]

Не допускается работа транзистора в инверсном режиме. [19]

В режиме насыщения или в инверсном режиме электрический переход п-п на границе скрытого слоя отражает дырки, инжектируемые из базы в коллектор. Поэтому при прямом смещении коллекторного перехода в структуре со скрытым слоем дырочная составляющая тока этого перехода ниже, чем в структуре без скрытого слоя, следовательно, увеличивается инверсный коэффициент передачи. [20]

Многоэмиттерный транзистор Т1 находится в инверсном режиме включения. В силу этого транзистор Т3 надежно закрыт и находится в режиме отсечки. Насыщенный транзистор Т4, представляя собой в этом режиме эквипотенциальную точку, подсоединяет узел С схемы к заземленной точке D, закорачивая тем самым сопротивление нагрузки RH. [21]

Ключи с общим эмиттером и общим коллектором. [22]

Для дрейфовых транзисторов, у которых инверсный режим сопровождается движением носителей заряда против поля, величины а / и р / малы. [23]

Диффузионная емкость коллекторного перехода существенна в инверсном режиме и режиме насыщения, когда коллекторный переход включен в прямом направлении. Она отражает изменение зарядов неосновных носителей в базе и коллекторе при изменении напряжения на коллекторном переходе. [24]

Модель Линвилла с сосредоточенными параметрами для транзистора. [25]

QN, а элементы На и Sj - инверсный режим и связаны с зарядом носителей Q /, инжектированных из коллектора. [26]

Когда на все входы действует напряжение высокого уровня, транзистор VT1 работает в инверсном режиме; эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный - в прямом. Ток А представляет собой коллекторный ток инверсно включенного входного транзистора. Если допустить, что падение напряжения на насыщенных переходах равно 0 7 - 0 8 В, то напряжение на базе VT1 составит f / 6 3 - 0 8 2 4 В. [27]

Варианты использования биполярного транзистора в качестве диода. [28]

При такой конфигурации сопротивление узкого перешейка между активной областью и базовым контактом возрастает и в инверсном режиме инжекция электронов из коллектора в активную область базы будет незначительной. Соответственно, паразитные токи через эмиттеры практически не пройдут. [29]

На рис. 4.13 представлен разрез транзистора с указанием направлений движения носителей в различных областях транзистора при инверсном режиме работы. Там же показаны токи, обусловленные перемещением соответствующих носителей. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5