Инверсный режим

Cтраница 4

В нормальном активном и инверсном активном режимах транзистор работает как усилительный прибор и принципиального различия между этими двумя режимами нет. В инверсном режиме слаболегированный коллектор не обеспечивает достаточно высокого коэффициента инжекции, в результате чего резко снижается усиление. [46]

Слово нормальное означает, что эмиттер транзистора инжектирует электроны, а коллектор их собирает. Возможен и инверсный режим, когда коллектор инжектирует электроны, а эмиттер их собирает. [47]

Инверсный режим имеет место, начиная с момента, когда транзистор начинает работать в области насыщения. Следовательно, инверсный режим налагается на предшествующий ему нормальный режим работы. Это значит, что составляющая тока базы, обусловленная рекомбинацией носителей из коллектора, течет через базу, сопротивление которей уже мало из-за наличия носителей, инжектированных из эмиттера. Поскольку заряд QN обычно преобладает над зарядом QJ, по-видимому, при определении сопротивления базы следует ориентироваться на величину, которая определяется по вышеуказанной методике при нормальном включении транзистора. [48]

Другие параметры инверсного режима также отличаются от параметров режима нормального включения транзистора. [49]

Инверсный режим редко встречается в схемах на дискретных транзисторах, но его необходимо знать для понимания режима насыщения, который широко используют в импульсных и цифровых схемах. Кроме того, инверсный режим характерен для ряда интегральных схем. [50]

Транзистор в виде четырехполюсника. [51]

Распределения концентрации неосновных носителей заряда при этом принимают вид, показанный на рис. 11.76. Токи гэ, гк и г в в этом режиме определяются так же, как и в активном режиме. Нетрудно установить, что инверсный режим работы обратен активному - эмиттер и коллектор меняются ролями. [52]

Поскольку и на первый вход, как мы установили выше, с выхода ЛЭ1 также поступает напряжение U1, то оба эмиттерных перехода входного транзистора смещены в обратном направлении. Этот транзистор работает в инверсном режиме. Через каждый вход втекает ток / вх. В цепи базы транзистора VT1 через резистор R1 протекает ток / рь который несколько меньше / вь так как напряжение на базе повысилось примерно до 1 4 В ( определяется прямым напряжением на эмиттерном переходе VT2 и коллекторном переходе VT1) при Т 300 К. Коллекторный переход входного транзистора ЛЭ2 смещен в прямом направлении. Через него в базу выходного транзистора течет ток / Б2 / BI 2 / Jx. При соответствующем выборе сопротивлений резисторов R1 и R2 и коэффициента передачи Р2 транзистора VT2 выполняется условие / Б2Р2 / кг и транзистор VT2 будет находиться в режиме насыщения. Это напряжение возрастает приблизительно пропорционально коллекторному току. [53]

Многоэмиттерный транзистор. [54]

При формировании многоэмиттерной структуры необходимо стремиться - к уменьшению обратного тока транзисторов. В противном случае в инверсном режиме, когда эмиттеры находятся под обратным напряжением, а коллектор под прямым, носители1, ин-жектированные коллектором, достигают эмиттеров и в их цепи несмотря на обратное смещение, будет протекать ток. [55]

Структура ( а и эквивалентная схема ( в транзистора с инжекционным питанием.| Структура транзистора с иижск-ционным питанием и с инжектором в глубине кристалла. [56]

По этой причине транзисторы с инжекционным питанием иногда еще называют совмещенными. Транзистор Т2 работает в инверсном режиме. Переходы транзисторов называются: ni - P2 - эмитпгерным, рг - nt - инжекторным, п2 - р2 - коллекторным. [57]

Транзистор VT15 работает в инверсном режиме и используется как стабилитрон. Транзистор VT16 является управляющим элементом, а транзистор VT17 - регулирующим. [58]

Суть предлагаемого подхода заключается в том, что R-программы обладают одним замечательным свойством, которым принципиально не обладают программы ЭВМ. R-программы могут работать в специальном инверсном режиме, в котором они не обрабатывают, а, наоборот, генерируют ту информацию, которая может быть на их входе. В какой бы режим мы не включали программу обычной ЭВМ, мы никогда не получим такой информации. Эта особенность использована в R-технологии для отладки программ. Специально обученные для этого исполнители по R-технологии, единой для всех, строят контрольно-отладочные R-программы, которые включаются в режим автоматической генерации сколь угодно большого числа контрольных примеров. Эти примеры автоматически пропускаются через рабочую ( отлаживаемую) R-программу. Такая организация позволяет всесторонне отладить программный продукт в условиях, близких к производственным. [59]

Характеристика вход-выход ТТЛ элемента.| ТТЛ элемент. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5