Насыщенный режим

Cтраница 1

Насыщенный режим, при котором пористая среда насыщена одной фазой. [1]

Насыщенный режим транзистора обеспечивается, как будет показано далее, только при достаточно большом значении базового тока, создаваемого источником напряжения Ur Вопрос о необходимом для насыщения соотношении коллекторного и базового токов будет рассмотрен особо; здесь же положим, что это соотношение обеспечено и на переходах транзистора действуют напряжения, характеризующие режим насыщения. [2]

Для сильно насыщенных режимов, а также для схем с большими рассасывающими токами все приведенные формулы требуют экспериментальной проверки на конкретных типах транзисторов. [3]

При ывх Упор насыщенный режим транзистора сохраняется. Многоэмиттерный транзистор Т работает в инверсном режйМе; jero эмиттерный переход база - первый эмиттер смещен в обратной направлении. [4]

Для того чтобы насыщенный режим работы транзистора сохранился до окончания отрицательной цолуволны, необходимо обеспечить неравенство / Q / дн однако в данном случае значение / д может лишь немного превышать уровень / дн. [5]

Эквивалентная схема триггера в исходном состоянии ( транзистор 7 насыщен, транзистор Тг заперт. [6]

В дальнейших рассуждениях подразумевается насыщенный режим транзистора, так как добавление элементов нелинейной обратной связи ( см. § 14 - 7) не нарушает работы триггера, рассчитанного на насыщение. Строить же триггер так, чтобы в исходном состоянии открытый транзистор находился в активном режиме ( без нелинейной обратной связи), не рекомендуется; в этом случае снижается помехоустойчивость схемы, а выходное напряжение и другие параметры будут существенно зависеть от изменений температуры. [7]

Транзисторы в схеме работают в насыщенном режиме и в режиме, активном при малых токах на выходе. На базу поступает сигнал нулевого уровня, соответствующий напряжению ниже порога отпирания, или сигнал единичного уровня, соответствующий режиму насыщения транзистора. [8]

Распределение концентрации неосновных носителей в насыщенном транзисторе. [9]

Ряд эффектов при выключении транзистора из насыщенного режима связан с вытеснением избыточного заряда в боковые, д периферийные области транзистора. [10]

Распределение концентрации N неосновных носителей в области базы транзистора, переключенного из режима отсечки в активный режим. 9 - эмиттер. Б - - заряд неосновных носи.| Распределение концентрации неосновных носителей в насыщенном транзисторе. QH - избыточный заряд в базе насыщенного сплавного транзистора. Qf2 - избыточный заряд в насыщенном дрейфовом транзисторе с высокоомным телом коллектора. [11]

Ряд эффектов при выключении транзистора из насыщенного режима связан с вытеснением избыточного заряда в боковые, периферийные области транзистора. [12]

Недостатком рассмотренной схемы триггера является использование насыщенного режима транзисторов. Так как переходные процессы в схеме начинают развиваться только после выхода открытого транзистора из насыщения, скорость работы триггера снижается. Поэтому для работы на высоких частотах триггеры строятся по схемам с ненасыщенными транзисторами. [13]

Динамическая, характеристика транзистора в семействе статических выходных характеристик.| Режимы работы транзистора. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5