Насыщенный режим

Cтраница 2

Серьезный недостаток транзистора, работающего в насыщенном режиме, заключается в том, что после выключения входного сигнала транзистор некоторое время продолжает оставаться в насыщенном режиме. Это обусловлено тем, что в режиме насыщения в области базы накапливается избыточное количество неосновных носителей, которые рассасываются в течение некоторого времени, что увеличивает длительность восстановления исходного режима. [16]

Кривая намагничивания ферромагнитных материалов.| Ферромагнитный стабилизатор. [17]

Первичная и компенсационная обмотки работают в насыщенном режиме. Вторичная обмотка за счет малого сечения сердечника и отсутствия воздушного зазора работает в режиме насыщения. В результате этого при изменении напряжения сети U0 вторичные напряжения UL, и L / LK будут изменяться неодинаково. [18]

Если бы транзистор Т2 работал в насыщенном режиме, то имело бы место равенство ЯвыхОЗ Яи - Такой вариант ( когда последовательно включены два весьма больших дифференциальных сопротивления, в данном случае Кц и Rj2) характерен низкой стабильностью. [19]

В случае когда транзистор работает в насыщенном режиме, следует также принимать во внимание накопленный заряд, необходимость увеличения заряда, доставляемого цепью запуска. Время включения также имеет важное значение для любой схемы, и оно прямо пропорционально току базы и скорости, с которой он подводится. Внутреннее сопротивление базы и емкость перехода база-эмиттер воздействует на полезный заряд, который может подаваться на базу; эти параметры для различных типов транзисторов различны. Следует экспериментально проверить схему запуска в полном диапазоне изменения заданных частот повторения. [20]

Мультивибратор с мягким самовозбуждением. [21]

Основное преимущество рассмотренного мультивибратора ( возможность сочетания насыщенного режима работы с мягким возбуждением) достигается за счет уменьшения амплитуды импульсов ( из-за наличия эмиттерных сопротивлений) и ухудшения температурной стабильности рабочей частоты, особенно при уменьшении величины Ra. Эмиттер-ные емкости Сэ не являются принципиально необходимыми элементами схемы, однако они увеличивают броски базовых токов в моменты отпирания триодов, уменьшая тем самым длительность фронтов импульсов. [22]

Это допущение основывается на том, что в насыщенном режиме остаточное напряжение на коллекторе очень мало и составляет доли вольта. [23]

В связи с этим избыточный заряд неосновных носителей в насыщенном режиме в современных транзисторах может заполнять практически почти все области транзисторной структуры. [24]

Одна из моделей рассматривает переход база - коллектор в насыщенном режиме как прямосмещенньтй диод и процесс выхода из насыщения транзистора рассчитывается по формулам, аналогичным формулам для определения длительности полочки при восстановлении обратного сопротивления диодов. [25]

Вследствие этого составные транзисторы тиристора во включенной области всегда работают в менее насыщенном режиме, чем при отсутствии распространения включенного состояния. Падение напряжения на тиристоре при этом несколько выше, чем при той же плотности тока в случае, когда распространение включенного состояния отсутствует. [26]

Интегральный элемент НЕ - ИЛИ класса ТНЛС.| Интегральный элемент И - НЕ с одним транзистором класса ДТЛ. [27]

На рис. 3.33 приведена диодно-транзисторная схема И-НЕ с одним транзистором, работающим в насыщенном режиме. [28]

При подаче положительного пускового импульса ыпуск транзистор Г ] открывается и скачком переходит в насыщенный режим, а за счет разряда конденсатора С база Г2 становится отрицательной относительно эмиттера и транзистор Га закрывается. [29]

При выводе уравнения ( 89) в скрытой форме было сделано допущение, что насыщенный режим открытого триода, обеспеченный параметрами схемы при предельно низкой температуре, сохраняется и при ее повышении в пределах рабочего диапазона температур. Такое допущение не является безоговорочно истинным, но нетрудно определить область значений параметров триодов, соответствующую вполне устойчивой работе триггера при возрастании температуры. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5