Насыщенный режим

Cтраница 3

Транзисторная логическая схема с непосредственными связями. [31]

Недостатками схем являются критичность к разбросу входных характеристик транзисторов, сравнительно малое быстродействие вследствие глубоко насыщенных режимов работы и ограниченный верхний предел рабочей температуры при использовании германиевых транзисторов из-за отсутствия запирающего смещения. [32]

Схема элемента транзисторно-транзисторной логики. [33]

Одним из существенных недостатков ТТЛ-элементов является то, что транзисторы в них работают в насыщенном режиме. Поэтому быстродействие ТТЛ-элементов составляет тзд 20 - 40 не. [34]

Необходимо подчеркнуть, что надежное запирание триода Г2 является следствием работы триода Т1 в насыщенном режиме. [35]

Из изложенного видно, что хотя верхний основной ключ ( транзистор Те) и работает в насыщенном режиме, но степень насыщения этого транзистора настолько незначительна, а рассасывающий ток базы настолько велик, что перекрытие включенных состояний транзисторов Гз и Те из-за насыщения Те практически в схеме отсутствует. Это подтверждается также наблюдением формы тока эмиттера Т3 и коллектора Тв в реальных схемах формирователей. [36]

Иногда для того чтобы уменьшить время выключения и предотвратить возникновение времени рассасывания, транзистор не вводится в насыщенный режим. [37]

В этих формулах I6s и I3s - амплитуды управляющих токов, необходимые для смещения транзистора до границы насыщенного режима. [38]

Схема последовательного сдвигающего регистра. а - обычный диод. б - насыщенный двуханодный диод. [39]

В этом регистре в качестве ключей применены сплавные кремниевые диоды, работающие как в обычном, так и в насыщенном режиме. В каждом разряде регистра работает запоминающий элемент, образуемый двумя встречно поляризованными в направлениях, показанных сплошными стрелками, ферроэлектрическими конденсаторами, соединенными между собой через двуханодные насыщенные диоды. [40]

Следует заметить, что стационарное распределение Р2 ( я) в действительности никогда не осуществляется, если транзистор выключается из насыщенного режима. Оно справедливо лишь до тех лор, пока транзистор работает, не заходя в область насыщения. Однако комбинации pz ( x) и pt ( к, t) представляют собой точное решение вплоть до конца входного, либо выходного времени рассасывания. [41]

Основным недостатком схем РТЛ, РКТЛ, ДТЛ, ТТЛ является то обстоятельство, что используемые в них транзисторы работают в насыщенном режиме, что, понятно, снижает быстродействие элементов. Этот недостаток отсутствует в элементах с эмиттерными связями ( ТЛЭС), где используются линейные режимы работы транзистора. Элементы ТЛЭС являются в настоящее время самыми быстродействующими элементами интегральной электроники. Время задержки распространения сигнала от входа к выходу у этих элементов меньше, чем у элементов ТТЛ, примерно в 10 раз и лежит в пределах 3 - 5 не. [42]

Следует остановиться еще на одном методе характеристики инерционных свойств транзистора Существует мнение о том, что инерционность транзистора при работе в насыщенном режиме удобно ( более удобно, чем временем рассасывания) характеризовать величиной накопленного заряда QH, не интересуясь, где, в каких областях транзистора он расположен. [43]

Исследования показали, что, выбрав оптимальные значения элементов триггера, сплавные транзисторы типа П16, П16А и П16Б обеспечивают надежную работу в насыщенном режиме с максимальной скоростью счета 100 - 150 кгц, хотя, согласно справочным данным, например, транзисторам типа П16Б гарантируется время переключения / ер 1 мксек. Дрейфовые транзисторы типа П416, П416А, для которых определено лишь время рассасывания - tp 1 мксек, что, по-видимому, исключает возможность счета импульсов с частотой следования 1 Мгц, вполне успешно используются в насыщенных триггерах для частоты до 1 - 1 2 Мгц; а транзисторы типа ГТ320А обеспечивают и вдвое большую скорость счета. [44]

Серьезный недостаток транзистора, работающего в насыщенном режиме, заключается в том, что после выключения входного сигнала транзистор некоторое время продолжает оставаться в насыщенном режиме. Это обусловлено тем, что в режиме насыщения в области базы накапливается избыточное количество неосновных носителей, которые рассасываются в течение некоторого времени, что увеличивает длительность восстановления исходного режима. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5