Насыщенный режим

Cтраница 4

Для характеристики быстродействия транзистора необходимо использовать следующие параметры: / V, Сэ, Ск, Вст и параметр, характеризующий скорость переходных процессов в насыщенном режиме. Здесь необходимо сделать отступление и рассмотреть вопрос о связи таких параметров, как время жизни неосновных носителей заряда и постоянная времени, определяющая скорость переходного процесса в транзисторе. [46]

Приведенные соотношения для / расс справедливы при токах запирания / 52 ( 0 2 - 0 3) / кн. Для схем с большими, рассасывающими токами, а также для сильно насыщенных режимов эти соотношения требуют экспериментальной проверки на конкретных типах транзисторов. [47]

КБо все выходные характеристики пересекают ось 1 / кэ практически в одной точке, слхарактеризующей остаточное напряжение на промежутке коллек - tgnop - эмиттер, значение которого будет определено при рассмот - рении насыщенного режима. [48]

Рассасывание неосновных носителей в процессе выключения. [49]

Рисунки 10.15 а, бив показывают ошибочность предположения о том, что в конце процесса накопления и в начале процесса спада распределение неосновных носителей совпадает с тем распределением, которое существует в базе транзистора, смещенного к самой границе насыщенного режима. Затушеванная площадь представляет эту ошибку в расчете величины заряда. Заряд, который должен вытечь из базовой области за время рассасывания, больше, чем это следует из расчетов по методам, развитым в предыдущих разделах, на величину, пропорциональную затушеванной площади. [50]

Два триода триггера в открытом состоянии работают в разных режимах - триод Тг в насыщенном, а триод Г2 в ненасыщенном. Насыщенный режим триода 7 обеспечивается соответствующим расчетом. Ненасыщенный режим триода Г2 устанавливается в схеме автоматически. [51]

В исходном состоянии транзистор Т открыт и насыщен. Исполь-вование насыщенного режима работы транзистора позволяет уменьшить и стабилизировать начальный уровень формируемого импульса пилообразного напряжения. [52]

В современных транзисторах, созданных диффузионными методами, наиболее высокоомной областью является тело коллектора. Поэтому в насыщенном режиме, когда оба перехода смещены в прямом направлении, происходит не только инжекция избыточных неосновных носителей в область базы со стороны эмиттера и коллектора, но и инжекция неосновных носителей в тело коллектора со стороны как активной, так и пассивной области базы, поскольку в отличие от сплавных транзисторов у дрейфовых транзисторов тело коллектора выполнено из более высокоомного материала, чем область базы. [53]

Поэтому приходится выбирать насыщенный режим триодов, что снижает быстродействие этого переключателя по сравнению с переключателем эмиттерного тока. [54]

Мультивибратор М214 для ЭФМ Зоемтрон-382 / 383 и ЭКВМ Зоемтрон-220.| Мультивибратор М215 для ЭФМ Зоемтрон-382 / 383.| Мультивибратор для ЭФБМ Искра-534. [55]

Мультивибратор ЭФБМ Искра-534 ( рис. 123, а) собран на транзисторах типа п-р - п и представляет собой генератор с коллекторно-базовыми связями. Наиболее часто применяют насыщенный режим работы мультивибраторов. Однако при этом возможно нарушение колебательного режима, так как в процессе разряда конденсатора избыточный заряд в базе может не успеть рассосаться и транзистор не выйдет из насыщения. [56]

Когда конденсатор С зарядится до напряжения ucUc макс итб, ток г с станет равным нулю, но обратный лавинообразный процесс еще не возникает. Объясняется это инерционностью насыщенного режима транзистора. [57]

Для процесса выхода из насыщения существует также только одна постоянная. Принятая Моллом модель расчета насыщенного режима с накоплением избыточного заряда лишь в активной области базы относительно правильно отражает картину распределения неосновных носителей заряда в сплавных транзисторах. [58]

Транзистор будет насыщен, если это условие выполнено. Однако этот случай соответствует границе насыщенного режима; незначительные изменения параметров схемы ( увеличение RQ или уменьшение RK) могут привести к выходу транзистора из режима насыщения. Поэтому граничное значение RQ обычно не используют, а берут несколько меньшие значения Re, создавая тем самым некоторый запас по степени насыщения транзистора. Смысл коэффициента s состоит в следующем. [59]

При дальнейшем увеличении E-L для сохранения насыщенного режима работы транзистора приходится увеличивать сопротивление резистора RKi, из-за чего в возрастает и выигрыш во времени восстановления будет уже не столь высоким. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5