Позитивный резист
Cтраница 2
Наряду с позитивными резистами для глубокого УФ-света рекомендуют применять и негативные резисты. Фотолиз в области 254 нм 2 6-бис ( я-азидобензилиден) - 4-метилциклогексанона ( диа-зида I) и композиций на его основе позволяет генерировать ди-нитрены и отверждать полимеры. Однако светочувствительным компонентом в большинстве таких материалов служат неполностью сопряженные ароматические диазиды, а высокомолекулярной основой - циклизованный полиизопрен, поли-я-гидроксистирол, НС и другие полимеры ( ср. В работе [28] и в патенте ФРГ 2948324 описаны композиции из циклополиизопрена ( ММ150000, степень циклизации 75 %), полибутадиена, полиизопрена, поли-хлоропрена, ПС, полиамида, НС, поливинилфенола, ПВБ и 1 - 3 % диазидов ( я - ЫзС6Н4) 2Х, ( где Х СН2, О, S-S, S, SO2) и некоторых других, имеющих А макс не более 284 нм. [16]
Наряду с позитивными резистами для глубокого УФ-света рекомендуют применять и негативные резисты. Фотолиз в области 254 нм 2 6-бис ( п-азидобензилиден) - 4-метилциклогексанона ( диа-зида I) и композиций на его основе позволяет генерировать ди-нитрены и отверждать полимеры. Однако светочувствительным компонентом в большинстве таких материалов служат неполностью сопряженные ароматические диазиды, а высокомолекулярной основой - циклизованный полиизопрен, поли-л-гидроксистирол, НС и другие полимеры ( ср. В работе [28] и в патенте ФРГ 2948324 описаны композиции из циклополиизопрена ( ММ150000, степень циклизации 75 %), полибутадиена, полиизопрена, поли-хлоропрена, ПС, полиамида, НС, поливинилфенола, ПВБ и 1 - 3 % диазидов ( я - МзСеН Х, ( где Х СН2, О, S-S, S, SO2) и некоторых других, имеющих Хмакс не более 284 нм. [17]
ФРГ 3123752 слой позитивного резиста для получения печатной формы или защитной маски в микроэлектронике создается например, из 45 % трисэфира нафтохиноидиазид-5 - сульфокислоты и 2 3 4-три-гидроксибензофеиона, 0 8 % крезольного новолака, 2 65 % Желтого 3GLG я 21 2 % красителя Оразолового черного RL, 26 6 % фталевого ангидрида и 3 93 % га-толуолсульфокислоты; два последних соединения вводятся для повышения светочувствительности композиции. [18]
Частицы поверхностного слоя позитивного резиста прилипают к шаблону контактной печати при экспонировании, что приводит к дефектам слоя. Для предотвращения этого шаблон покрывают фторированным метакрилатным полимером. [19]
Известно несколько разработок позитивных резистов использованием относительно простых солей диазония или бисдиазония, когда после экспонирования их в полимерной матрице и проявлении слоя в основаниях нерастворимый рельеф образуется в нефотолнзованных участках, а не в местах действия света. Однако выбор подобных систем достаточно сложен. [20]
 |
Экспериментальное определение чувствительности позитивных электронорези-стов на основе измерения скорости проявления. [21] |
Для некоторых типов позитивных резистов изменение растворимости может изменить их чувствительность на порядок. [22]
ФРГ 3123752 слой позитивного резиста для получения печатной формы или защитной маски в микроэлектронике создается, например, из 45 % трисзфира нафтохинондиазид-5 - сульфокислоты и 2 3 4-три-гидроксибензофенона, 0 8 % крезольного новолака, 2 65 % Желтого 3GLG и 21 2 % красителя Оразолового черного RL, 26 6 % фталевого ангидрида и 3 93 % п-толуолсульфокислоты; два последних соединения вводятся для повышения светочувствительности композиции. [23]
Частицы поверхностного слоя позитивного резиста прилипают к шаблону контактной печати при экспонировании, что приводит к дефектам слоя. Для предотвращения этого шаблон покрывают фторированным метакрилатпым полимером. [24]
Известно несколько разработок позитивных резистов ч использованием относительно простых солей диазония или бисдиазония, когда после экспонирования их в полимерной матрице и проявлении слоя в основаниях нерастворимый рельеф образуется в нефотолизованных участках, а не в местах действия света. Однако выбор подобных систем достаточно сложен. [25]
 |
Экспериментальное определение чувствительности позитивных электронорези-стов на основе измерения скорости проявления. [26] |
Для некоторых типов позитивных резистов изменение растворимости может изменить их чувствительность на порядок. [27]
 |
Схематическое изображение профиля позитивного резиста AZ, экстрагированного хлорбензолом, с уширенным поверхностным слоем [ уширеиие - ( г-у / 2 ]. [28] |
В первой системе используется обычный хинон-диазидный позитивный резист, который перед или после экспонирования смачивают хлорбензолом так, чтобы глубина проникновения ( Ь - а) составляла 0 3 мкм при общей толщине слоя ( 6) 1 мкм [ 32, пат. Экстракция низкомолекулярных компонентов НС хлорбензолом снижает скорость растворения поверхностного слоя резиста при проявлении и образованный профиль ( см. рис. VIII. В другой системе используется негативный резист MRS, содержащий одновременно компоненты, чувствительные в коротковолновой и средневолновой областях УФ-спектра [34], причем его чувствительность и поглощение выше в области коротковолнового УФ-излучения. [29]
 |
Схематическое изображение профиля позитивного резиста AZ, экстрагированного хлорбензолом, с уширенным поверхностным слоем [ уширение ( г - У / 2 ]. [30] |
Страницы: 1 2 3 4