Позитивный резист
Cтраница 4
С развитием микроминиатюризации появляется тенденция использовать преимущественно позитивный резист. Это можно объяснить, тем, что при использовании негативного резиста возможны темно вые реакции, физические изменения типа усадок, обусловленные наличием мостиков, и появление перемычек между соседними участками за счет разбухания резиста при проявлении. [46]
Для повышения адгезии нефотолизованных участков слоя позитивного резиста к алюминиевым подложкам в композицию вводят от 0 5 до 5 % в расчете на сухой остаток потенциальных хелатообразователей, например, 2 3 4-три-гидроксибензофенона, 8-гидроксихинолина, 1 2 4-тригидроксиантрахинона, пур-пурогаллина, кверцетина, салициловой кислоты [ пат. При щелочном проявлении слой с такой добавкой почти не теряет массы в отличие от слоя, не содержащего ком-плексона. [47]
Основной действующей компонентой большинства торговых марок позитивных резистов, например фирм Shipley ( AZ-15, 17, 111, 340, 1350, 2400, 2415, 2430), Hunt ( Waycoat Positive LSI 195, 295, 395), Kodak ( Micro Resist 809), Microimage ( Isofine), GAP ( PR-102, 115, 301, 425, 435), а также советских ( ФП-303, 307, 327, 330, 333, 334, 383, 383M, ФП-РН-7 и др.), является продукт конденсации 1 2-нафтохинондиазид - ( 2) 5 [ или ( 1) 4 ] - сульфохлорида с различными [1] новолачными или резольными смолами с мол. Сульфоэфир и полимерные пленкообразующие разбавляются органическими растворителями до 20 - 30 % концентрации по сухому остатку, в качестве полимерной добавки используются конденсационные смолы [32-34], Этот состав уже непосредственно может применяться в фотолитографическом процессе. [48]
Для повышения адгезии нефотолизованных участков слоя позитивного резиста к алюминиевым подложкам в композицию вводят от 0 5 до 5 % в расчете на сухой остаток потенциальных хелатообразователей, например, 2 3 4-три-гидроксибензофенона, 8-гидроксихинолина, 1 2 4-тригидроксиантрахинона, пур-пурогаллина, кверцетина, салициловой кислоты [ пат. При щелочном проявлении слой с такой добавкой почти не теряет массы в отличие от слоя, не содержащего ком-плексона. [49]
На SiO2 / Si с помощью этого позитивного резиста, сенсибилизированного бензофеноном, проведена фотолитография и травление подложки; размеры полученных элементов составляют 10 мкм. [50]
Фирма ЗМ ( США) вводит в композицию позитивного резиста с целью улучшения механических свойств слоя смесь НС и акри-латного полимера ( например, сополимера 35 % стирола, 59 % этилакрилата и 6 / о метакриловой кислоты), модифицированных полиизоцианатами в присутствии триэтилендиамина [ пат. [51]
Фирма ЗМ ( США) вводит в композицию позитивного резиста с целью улучшения механических свойств слоя смесь НС и акри-латного полимера ( например, сополимера 35 % стирола, 59 % этилакрилата и 6 % метакриловой кислоты), модифицированных полиизоцианатами в присутствии триэтилендиамина [ пат. [52]
Фирма GAF ( США) предлагает использовать в качестве позитивного резиста композицию полиамидокислоты и нафтохинондиа-зида [ пат. Примерно равны массовые количества полиамидокислоты и хинондиазида из растворителя наносят на подложку, при сушке удаляют растворитель, микронный или субми-кроиный слой экспонируют УФ-светом через шаблон, проявляют раствором сильного органического или неорганического основания в воде, засвечивают всю пластину для разрушения нафтохинондиа-зид-а в слое рельефа и проводят имидизацию. [53]
Фирма GAF ( США) предлагает использовать в качестве позитивного резиста композицию полиамидокислоты и нафтохинондиа-зида [ пат. Примерно равны массовые количества полиамидокислоты и хинондиазида из растворителя наносят на подложку, при сушке удаляют растворитель, микронный или субмикронный слой экспонируют УФ-светом через шаблон, проявляют раствором сильного органического или неорганического основания в воде, засвечивают всю пластину для разрушения нафтохинондиа-зида в слое рельефа и проводят имидизацию. [54]
Прямое изображение позволяет получать вещества, полимери-зующиеся под действием света - позитивные резисты. [55]
 |
Схема подтравливаиия иа границе подложка - резист, обусловленного потерей адгезии. [56] |
Резист Micropozit TM-1470 хорошо удаляется раствором ( NH4) 2S2O7 в H2SO4 [141]; для снятия позитивных резистов рекомендуется раствор Н2О2 в H2SO4 [ яп. [57]
Страницы: 1 2 3 4