Позитивный резист
Cтраница 3
В первой системе используется обычный хинон-диазидный позитивный резист, который перед или после экспонирования смачивают хлорбензолом так, чтобы глубина проникновения ( Ь - а) составляла 0 3 мкм при общей толщине слоя ( Ь) 1 мкм [ 32, пат. Экстракция низкомолекулярных компонентов НС хлорбензолом снижает скорость растворения поверхностного слоя резиста при проявлении и образованный профиль ( см. рис. VIII. В другой системе используется негативный резист MRS, содержащий одновременно компоненты, чувствительные в коротковолновой и средневолновой областях УФ-спектра [34], причем его чувствительность и поглощение выше в области коротковолнового УФ-пзлучения. [31]
 |
Влияние продолжительности проявления на зависимость нормализованной толщины h слоя резиста от экспозиционной дозы для сополимера фе-иилметакрилата с метакриловой кислотой ( 3. [32] |
Успешно используются в качестве позитивных резистов поли-олефинсульфоны [ пат. Они отличаются высокой чувствительностью и большим радиационно-химическим выходом деструкции. Некоторые сополимеры не требуют специального проявления, так как продукты их деструкции газообразны. Полиолефинсульфоны весьма лабильны, иногда до такой степени, что распад их макромолекул может происходить задолго до экспонирования при других операциях. Например, распад наблюдается при проявлении, а в случае нагревания деструкция может вызвать даже сублимацию пленки резиста [ пат. Недостатком поли-олефинсульфонов является также слабая стойкость при ионном травлении, а также травлении растворами электролитов. [33]
Поскольку контрастность ПММА как позитивного резиста повышается с ростом его ММ, это необходимо учитывать при выборе ММ планаризационного резиста. [34]
В качестве проявителя экспонированных позитивных резистов на основе хинондиазидов, фенолофор-мальдегидпых и других смол используют водные растворы оснований, например: 0 4 % - iibu i рае mop КОН, 3 % - ныи раствор Na: iPO4; 7 % - нын раствор метасп. [35]
 |
Влияние продолжительности проявления Q на зависимость нормализованной толщины h слоя ре-зиста от экспозиционной дозы для сополимера фе нилметакрилата с метакриловой кислотой ( 91 7. 8 3. [36] |
Успешно используются в качестве позитивных резистов поли-олефинсульфоны [ пат. Они отличаются высокой чувствительностью и большим радиационно-химическим выходом деструкции. Некоторые сополимеры не требуют специального проявления, так как продукты их деструкции газообразны. Полиолефинсульфоны весьма лабильны, иногда до такой степени, что распад их макромолекул может происходить задолго до экспонирования при других операциях. Например, распад наблюдается при проявлении, а в случае нагревания деструкция может вызвать даже сублимацию пленки резиста [ пат. Недостатком поли-олефинсульфонов является также слабая стойкость при ионном травлении, а также травлении растворами электролитов. Ее новый позитивный резист, обозначаемый NPR, состоит из новолачной матрицы и полиолефин-сульфона - поли-2 - метилпентенсул. [37]
Поскольку контрастность ПММА как позитивного резиста повышается с ростом его ММ, это необходимо учитывать при выборе ММ планаризационного резиста. [38]
 |
Оборудование фотолитографической желтой комнаты в современной чистой комнате. [39] |
В промышленности применяются главным образом негативные и позитивные резисты, на которые воздействуют ультрафиолетом. Резисты, на которые воздействуют электронные и рентгеновские лучи, также пользуются спросом на рынке благодаря более высокой разрешающей способности. Данные материалы постепенно снимаются с производства. [40]
Модель построена на основе композиции позитивного резиста ( AZ - 1350J), образованного новолаком из крезола и формальдегида и широко применяемого замещенного нафтохииондиазида ( пат. [41]
Еще сильнее это проявляется у позитивных резистов, для большинства которых добиваются различной растворимости экспонированных и неэкспонированных полимерных слоев с одинаковой ММ. Присутствие воды в растворителях при проявлении негативных резистов может стать причиной возникновения вуали, особенно на поверхности диоксида кремния, который адсорбирует воду в процессе проявления в местах, где локальная концентрация полимера в проявляющем растворе как раз наибольшая. Промышленные растворители, такие, как ксилол и бензин, имеют непостоянное содержание воды, но и относительно сухие растворители могут абсорбировать влагу из воздуха. Избирательная сорбция воды может приводить к ее диффузии в сшитые участки слоя резиста и к поверхности диоксида кремния и снижать тем самым адгезию этих слоев. [42]
Модель построена на основе композиции позитивного резиста ( AZ - 1350J), образованного новолаком из крезола и формальдегида и широко применяемого замещенного нафтохинондиазида ( пат. [43]
Еще сильнее это проявляется у позитивных резистов, для большинства которых добиваются различной растворимости экспонированных и неэкспонированных полимерных слоев с одинаковой ММ. Присутствие воды в растворителях при проявлении негативных резистов может стать причиной возникновения вуали, особенно на поверхности диоксида кремния, который адсорбирует воду в процессе проявления в местах, где локальная концентрация полимера в проявляющем растворе как раз наибольшая. Промышленные растворители, такие, как ксилол и бензин, имеют непостоянное содержание воды, но и относительно сухие растворители могут абсорбировать влагу из воздуха. Избирательная сорбция воды может приводить к ее диффузии в сшитые участки слоя резиста и к поверхности диоксида кремния и снижать тем самым адгезию этих слоев. [44]
Хотя акрилатные полимеры ведут себя как позитивные резисты, в пат. [45]
Страницы: 1 2 3 4