Диффузионный резистор
Cтраница 2
Диффузионные резисторы, как и другие резистивные элементы, характеризуют следующие параметры: диапазон номинальных значений сопротивления, допуски по сопротивлению, температурный коэффициент сопротивления, допустимая мощность рассеяния и максимальное напряжение. [17]
Диффузионный резистор отделен от подложки р-и-переходом, который имеет собственную барьерную емкость. Эта емкость может оказывать существенное влияние на работу схемы при высоких частотах. [18]
Диффузионные резисторы, как и другие резистивные элементы, характеризуют следующие параметры: диапазон номинальных значений сопротивления, допуски по сопротивлению, температурный коэффициент сопротивления, допустимая мощность рассеяния и максимальное напряжение. [19]
Диффузионные резисторы ИМ подвержены резкому влиянию радиации. Большое влияние на их стойкость оказывает изоляция компонентов ИМ. Наименее чувствительны к радиоактивному излучению резисторы с диэлектрической изоляцией, а наиболее чувствительны - резисторы, изолированные р-п переходом. Это объясняется тем, что обратно включенные р-п переходы оказывают шунтирующее действие при радиоактивном излучении, поскольку обратный ток диодов в результате облучения существенно возрастает. Поэтому нежелательно применение изоляции с помощью р-п переходов в ИМ, предназначенных для работы при повышенном уровне радиации. [20]
Изоляция диффузионных резисторов может также осуществляться с помощью диэлектрической пленки двуокиси кремния, либо другими способами. [21]
Для диффузионных резисторов характерна некоторая нелинейность, обусловленная расширением p - n - перехода с увеличением напряжения и, следовательно, уменьшением сечения слоя и увеличением номинала. [22]
Для диффузионных резисторов диапазон номинальных значений сопротивления, как отмечалось, ограничен сверху. [23]
 |
Схематическое изображение тон - ИЗ фОЛЬГИ ТОЛЩИНОЙ В НбСКОЛЬКО. [24] |
Сопротивление диффузионного резистора зависит от степени легирования исходного материала ( кремния), примесями ( от удельного сопротивления материала) и от геометрических размеров резистора. Для расчетов резисторов, образованных тонкими пленками, удобно ввести новое понятие - сопротивление слоя. Рассмотрим сущность этого понятия. [25]
 |
Диффузионный резистор. а структура. б эквивалентная схема. [26] |
Структура диффузионного резистора на основе базового слоя р-типа приведена на рис. ЗЛба. [27]
Для диффузионных резисторов диапазон номинальных значений сопротивления, как отмечалось, ограничен сверху. [28]
Кроме диффузионных резисторов Ra в интегральных ОУ используются пинч-резисторы Rn, в которых осуществляется эффект сжатия канала р-типа ( базовый слой п-р - п транзистора) п - слоем ( эмиттерный слой), и балк-резисторы R6, в которых эффект сжатия канала в эпитаксиальном слое создается суммарным действием примесных слоев разной концентрации р-типа, образованных базовой и разделительной диффузиями, а также подложкой. [29]
В диффузионных резисторах между ними и эпитаксиальным слоем образуются емкости, и такие резисторы ведут себя как RC-цепи с распределенными параметрами. Сравнительно большая площадь резисторов определяет и существенный ток утечки. В этом отношении тонкопленочные резисторы оказываются лучше диффузионных. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5