Диффузионный резистор

Cтраница 4

Обычно в качестве диффузионных резисторов используют базовый или эмиттерный слой планарной транзисторной структуры. Базовые диффузионные резисторы - высокоомные ( концентрация основных носителей заряда в базе значительно меньше, чем в эмиттере), а эмиттерные - низкоомные. [46]

Температурный коэффициент сопротивления диффузионного резистора зависит от концентрации примесей в использованном диффузионном слое. Так как диффузионные резисторы формируют в базовых областях транзисторных структур, то концентрация примесей в этих областях определяется необходимыми параметрами и свойствами транзисторов. [47]

Допустимая мощность рассеяния диффузионных резисторов ограничена малыми размерами и топологией резистивной диффузионной полоски резистора ( рис. 7.11, г, д), а также связана с температурным коэффициентом сопротивления резистора, так как нагрев резистора проходящим током вызывает изменение сопротивления и приводит к нелинейности ВАХ. [48]

Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами необходимо отметить, что при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы, которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы. [49]

Высокий Т КС диффузионных резисторов обусловлен температурной зависимостью концентраций примеси, что, в свою очередь ( при полной ионизации примеси), определяется изменением подвижности носителя заряда от температуры; TKJC зависит от изменения концентрации примесей тем больше, чем выше сопротивление слоя. [50]

Таким образом, все диффузионные резисторы изготовляют на диффузионных слоях П -, р -, п -, р-структуры в едином технологическом процессе. [51]

Благодаря наличию обратносмещенного перехода диффузионный резистор имеет распределенную емкость. [52]

Вследствие малого поперечного сечения диффузионного резистора, ток, протекающий через него, ограничен максимальным током. [53]

Конструктивные элементы ( а и эквивалентная схема ( б. [54]

Из анализа эквивалентной схемы диффузионного резистора следует, что его сопротивление зависит от частоты. Емкости С и С2 шунтируют резистор на подложку непосредственно в виде цепочки двух последовательно соединенных емкостей, а также через цепи питания полупроводниковой ИМС, подключенные к n - области. [55]

Устройство диффузионного резистора на р-слое ( / - выводы резистора. 2 - диэлектрический слой. 3 - резистор. [56]

Для определения удельных параметров диффузионного резистора рассчитывают средние значения концентрации легирующей примеси N ( х) и подвижностей носителей заряда ц п и [ ip в нем, а затем - удельные проводимость и сопротивление. [57]

Несмотря на отмеченные недостатки, диффузионные резисторы широко применяют в интегральных микросхемах, так как их формирование не требует дополнительных технологических операций и не удорожает схему. [58]

Какие недостатки и преимущества имеют диффузионные резисторы. [59]

В массовом производстве интегральных микросхем диффузионные резисторы не могут быть изготовлены с достаточно малыми пределами допусков по ряду причин. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5