Диффузионный резистор
Cтраница 3
Так как диффузионные резисторы формируют в базовых областях транзисторных структур, то концентрация примесей в этих областях определяется необходимыми параметрами и свойствами транзисторов. [31]
 |
Номограммы для вычисления среднего значения удельной объемной проводимости аг диффузионных слоев кремния р-типа при гауссовом распределении концентрации примесных. [32] |
Возможные конфигурации диффузионных резисторов приведены на рис. 2.30. Формулы для вычисления номинального значения сопротивления резистора различны для каждой из приведенных конфигураций и учитывают соотношения между размерами контактной области и шириной резистора, а также число изгибов ре-зистивной полоски. В зависимости от этих факторов по-разному проявляется влияние концевых и краевых эффектов. [33]
При расчете диффузионных резисторов важно также учитывать рассеиваемую мощность. Чрезмерное рассеяние мощности при нагреве резистора в процессе работы приводит к появлению нелинейной зависимости между током и напряжением, так как сопротивление резистора зависит от температуры. Это требует использования более широких диффузионных полосок в схемах, рассеивающих при работе сравнительно большую мощность. Следует заметить, что предельное значение рассеиваемой мощности зависит от теплорас-сеивающих свойств корпусов, герметизирующих полупроводниковые ИМС. [34]
Электрическое сопротивление диффузионных резисторов может быть от 10 Ом до 1 МОм. [35]
 |
Номограммы для вычисления среднего значения. [36] |
Возможные конфигурации диффузионных резисторов приведены на рис. 2.31. Формулы для вычисления номинального значения сопротивления резистора различны для каждой из приведенных конфигураций и учитывают соотношения между размерами контактной области и шириной резистора, а также число изгибов резистивной полоски. В зависимости от этих факторов по-разному проявляется олияние концевых и краевых эффектов. [37]
При расчете диффузионного резистора важно учитывать также мощность рассеяния. Чрезмерное рассеяние мощности при нагреве резистора в процессе работы приводит к появлению нелинейной зависимости между током и напряжением, так как сопротивление резистора зависит от температуры. Это требует использования более широких диффузионных полосок в схемах, рассеивающих при работе сравнительно большую мощность. Следует заметить, что предельное значение мощности рассеяния зависит от теплорассеивающих свойств корпусов, герметизирующих полупроводниковые ИМС. [38]
 |
Диффузионный резистор. [39] |
Для нормальной работы диффузионных резисторов в электрической схеме необходимо, чтобы ограничивающий диффузионную область р - - переход все время находился под обратным смещающим напряжением. Объемное сопротивление полупроводника в диффузионной области изменяется от наименьшего значения у поверхности подложки до практически бесконечного у границы обедненной области. Поэтому часто оперируют сопротивлением слоя полупроводника, выражающим интегральный эффект. [40]
Допустимая мощность рассеяния диффузионных резисторов ограничена малыми размерами и топологией резистивной диффузионной полоски резистора ( рис. 7.11, г, д), а также связана с температурным коэффициентом сопротивления резистора, так как нагрев резистора проходящим током вызывает изменение сопротивления и приводит к нелинейности вольт-амперной характеристики. [41]
Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами необходимо отметить, что при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы, которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы. Диффузионный резистор отделен от подложки электронно-дырочным переходом, который имеет собственную барьерную емкость. [42]
Следовательно, сопротивление диффузионного резистора может - бшъ. [43]
Температурный коэффициент сопротивления диффузионного резистора зависит от концентрации примесей в использованном диффузионном слое. Так как диффузионные резисторы формируют в базовых областях транзисторных структур, то концентрация примесей в этих областях определяется необходимыми параметрами и свойствами транзисторов. [44]
Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами необходимо отметить, что при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы, которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5