Диффузионный резистор

Cтраница 1

Диффузионные резисторы полупроводниковых ИМС изготовляют одновременно с активными элементами. Диффузионные резисторы в зависимости от степени легирования используемого слоя полупроводника могут иметь номинальные значения сопротивлений от нескольких ом до двух десятков килоом. [1]

Эквивалентные схемы диффузионного резистора.| Относительное изменение сопротивления диффузионного резистора с увеличением частоты.| Зависимости диффузионных сопротивлений от температуры. [2]

Диффузионные резисторы имеют относительно большой температурный коэффициент сопротивления, обусловленный зависимостью от температуры подвижности дырок и электронов. Подвижность носителей обычно уменьшается с температурой. [3]

Конфигурация диффузионных резисторов.| Диффузионный резистор, полученный на основе базовой области ( а и коллекторной области ( б. [4]

Диффузионные резисторы имеют относительно большой температурный коэффициент сопротивления, обусловленный зависимостью от температуры подвижности дырок и электронов. [5]

Диффузионные резисторы - наиболее распространенный тип резисторов полупроводниковых интегральных схем, так как изготовляются в едином технологическом процессе с активными компонентами схемы. В качестве их основы используются два диффузионных цикла: базовая ( наиболее часто) или эмиттерная диффузия. На рис. 2.34 представлены типичный вид и поперечное сечение диффузионного резистора р-типа, полученного при базовой п-р-п-диффузии. Для схемных применений резисторов такой структуры необходимо, чтобы p - n - переходы имели все время обратное смещение, для чего на область п подают высокий потенциал источника питания, а подложку р заземляют. [6]

Диффузионные резисторы могут быть также реализованы на основе любой из областей транзистора с приемлемыми для конкретных схем номинальными значениями сопротивления - от 5 до 50 кОм / квад-рат. Резисторы небольших номиналов формируют в виде прямоугольников между контактными площадками, резисторы больших номинальных значений имеют более сложную конфигурацию, например в виде змейки. Минимальная ширина активного слоя определяется разрешающей способностью фотолитографии и доходит до 3 мкм. [7]

Диффузионные резисторы могут иметь номинальные значения сопротивлений от нескольких ом до двух десятков килоом. [8]

Диффузионный резистор.| Конденсатор с барьерной емкостью р - я-перехода. [9]

Диффузионные резисторы работают на частотах до 10 - г - 20 Мгц. В схемах, работающих на частотах выше 20 Мгц, резисторы формируют в островках, изолированных слоем двуокиси кремния. [10]

Возможные варианты использования различных областей / транзисторной структуры в качестве резистивных слоев для формирования диффузионных резисторов полупроводниковой интегральной микросхемы ( а, б, в и некоторые варианты конфигурации резистивного слоя и электродов резистора ( г, д. [11]

Диффузионные резисторы, как и другие резистивные элементы, характеризуют следующие параметры: диапазон номинальных значений сопротивления, допуски по сопротивлению, температурный коэффициент сопротивления, допустимая мощность рассеяния и максимальное напряжение. [12]

Диффузионный резистор отделен от подложки р-п-переходом, который имеет собственную барьерную емкость. Эта емкость может оказывать существенное влияние на работу схемы при высоких частотах. [13]

Диффузионные резисторы, так же как и транзисторы, при высоком уровне ионизации закорачиваются фототоками. [14]

Диффузионный резистор на основе базового р-слоя транзисторной структуры показан на рис. 3.5, а. Резистор отделен от других элементов не менее чем двумя p - n - переходами, включенными встречно. При этом при любой полярности приложенного напряжения система встречно включенных р-и-переходов будет заперта. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5