Рекомбинация - носитель
Cтраница 1
Рекомбинация носителей в комплексе ПВК - ТНФ состава 1: 1 была изучена Хьюзом [76], использовавшим для получения высоких концентраций носителей импульсы света рубинового лазера. Полученные им результаты приведены на рис. 6.5.55 и могут быть объяснены с помощью простой теории рекомбинации носителей, предложенной Ланжевеном ( см. разд. [2]
При рекомбинации носителей, как и при генерации, должны соблюдаться законы сохранения энергии и импульса. При тепловой генерации электроны получают энергию и импульс фонона, при световой - фотона. Впрочем, в ряде случаев существенную роль играют комбинированные процессы, в которых электрон получает энергию ( в основном) от фотона, а импульс ( в основном) - от фонона. При рекомбинации носителей имеются аналогичные возможности. [3]
Процессы рекомбинации носителей в р-п-переходе и в базе биполярного транзистора, а также генерационно-рекомби-национные процессы на поверхности кристалла полупроводника сопровождаются возникновением низкочастотных шумов. [4]
Процесс рекомбинации носителей в полупроводнике существенно отличается от такового в изоляторе. Например, суперлинейность может проявляться в полупроводнике, имеющем только один класс основных состояний. Кроме того, фототоки в полупроводниках сопровождаются большими шумами, чем в изоляторе. [5]
Проблема рекомбинации носителей тока является одной из важнейших и современной физике полупроводников, ибо, как известно, время жизни неравновесных носителей определяет ряд основных характеристик полупроводниковых электронных приборов. Вместе с тем процессы рекомбинации изучены еще крайне недостаточно. Едва ли можно назвать здесь хотя бы один вопрос, который был бы ясен до конца. [6]
Генерация и рекомбинация носителей в обедненном слое отсутствуют. [7]
Процессы генерации и рекомбинации носителей протекают одновременно, и при установившейся температуре кристалл находится в состоянии равновесия, которое называется термодинамическим. [8]
 |
Вольт-амперная характеристика р - - перехода с учетом генерации и рекомбинации в области объемного заряда ( а и без учета ( б. [9] |
В прямом направлении рекомбинация носителей также может иметь существенное значение в широкозонных полупроводниках, особенно при пониженных температурах. [10]
Как влияет процесс рекомбинации носителей в / з-и-переходе диода на его вольт-амперную характеристику. [11]
Различают несколько видов рекомбинации носителей в полупроводниках. [12]
Высокий темп генерации и рекомбинации носителей в обедненном слое ухудшает выпрямляющие и инжек-ционные свойства такого контакта. При обратном смещении он становится источником генерации неравновесных носителей, а прямом смещении - источникои их рекомбинаций. Для контактов с очень высокой скоростью рекомбинации также применя-ют термин омический, подразумевая контакт, на к-ром при любых / поддерживаются равновесные значения концентрации носителей. [14]
 |
Типичная форма монокристалла германия, полученного вытягиванием из расплава. [15] |
Страницы: 1 2 3 4