Рекомбинация - носитель
Cтраница 4
Ток термогенерации / г обусловлен процессами генерации и рекомбинации носителей в объеме p - n - перехода. [46]
Избыточные низкочастотные шумы транзисторов обусловлены процессами генерации и рекомбинации носителей, а также зависят от состояния поверхности полупроводника. [47]
Кроме процесса генерации при засветке может быть и рекомбинация носителей, причем с ростом концентрации неравновесных электронов и дырок интенсивность рекомбинации увеличивается. Поэтому через некоторое время после начала освещения в полупроводнике устанавливается постоянная ( стационарная) проводимость. [48]
Однако результаты измерения могут сильно искажаться из-за влияния рекомбинации носителей на поверхности и наличия уровней прилипания. [49]
Гиперболический характер спада фотопроводимости указывает на бимолекулярный характер рекомбинации носителей в темноте. Та же закономерность была найдена и для далеких ( 10 сек. [50]
В данном случае потери JL, связанные с рекомбинацией носителей в области перехода, можно рассматривать независимо от темнового тока. [51]
Избыточные шумы в транзисторе связаны с процессами генерации и рекомбинации носителей в основном на поверхности полупроводника. [52]
Так как плотность поверхностных состояний обычно велика, то рекомбинация носителей на поверхности идет значительно быстрее ( интенсивнее), чем в объеме полупроводника. [53]
Генерационно-рекомбинационные шумы, возникают вследствие дискретности процесса генерации и рекомбинации носителей тока. Причиной их может быть также захват и освобождение неравновесных носителей уровнями прилипания в запрещенной зоне полупроводника. [54]
 |
Возрастание реального напряжения на рш-диоде при возрастании прямого тока по сравнению с зависимостью. [55] |
Равенство (2.1.8) получается в результате приравнивания скоростей тепловой генерации и рекомбинации носителей в равновесном состоянии. [56]
 |
Полосновый инжекционный лазер. а - общий вид в сборке. б-схема 1, я - сечение вблизи активной области ( АО. [57] |
В вепрямозонных полупроводниках ( рис. 5, б) для рекомбинации носителей требуется участие др. частиц или квазичастиц ( напр. В результате излучат, переходы не могут конкурировать с безызлучательными. Для непрямозонных полупроводников ( к ним относятся, в частности, Si, Go, SIC, GaP и др.) характерна слабая межзонная люминесценция, в них не развивается усиление, достаточное для возникновения генерации на этих переходах. [58]
 |
Типичная донорно-акцеп-торная конфигурация в кристалле комплексов с переносом заряда. с-ось. [59] |
Не вызывает сомнения, что СТ-экситоны являются промежуточными состояниями при рекомбинации носителей ( см. разд. При возбуждении гомомолекулярных кристаллов полициклических ароматических углеводородов светом достаточно высокой энергии происходит ионизация. Вырванный из молекулы электрон затем может попасть на любую другую молекулу кристалла. Если электрон и положительный заряд ( или один из них) подвижны, то с течением времени может произойти рекомбинация. [60]
Страницы: 1 2 3 4