Рекомбинация - носитель
Cтраница 3
 |
Изменение во времени токов коллектора и базы транзистора, включенного по схеме с общей базой, в случае действия на его входе импульса тока / э. [31] |
Установившийся базовый ток определяется процессом рекомбинации носителей. [32]
Для экспериментального доказательства основного канала рекомбинации носителей при переходе реакции в самоускоряющийся режим проведено исследование влияния предварительной засветки светом 380нм на пороговые характеристики инициирования монокристаллов азида серебра. [33]
Рекомбинационные потери характеризуются эффективной скоростью рекомбинации носителей S - на границе раздела. Полагают, что S / не зависит от приложенного напряжения. Условие непрерывности фототока, проходящего через границу раздела, записывается в виде / вх / вых qn i, причем для концентрации носителей на границе раздела справедливо приближенное равенство n ( xj) a Я8 вых / ( 7А &) где S 1 ( Vd-V) IWd ( V); Vj - диффузионный потенциал; Wj ( V) - ширина обедненного слоя и щ координата границы раздела. [34]
А / см2) обусловлен рекомбинацией носителей на границах зерен. Однако под влиянием границ зерен фототок уменьшается незначительно. Высокие значения напряжения холостого хода солнечных элементов со структурой металл - оксид - полупроводник на основе GaAsi xPx - я - GaAs - n - GaAs обеспечивает большая высота барьера. Согласно результатам измерений вольт-фарадных характери-ристик, ФБ1 2 эВ, что на 0 2 эВ больше высоты барьера у элементов с такой же структурой, но на основе лишь я - GaAs. При наличии слоя GaAsi xPx плотность обратного тока насыщения уменьшается на порядок величины. [35]
При анализе диэлектрической релаксации пренебрегают рекомбинацией носителей и их диффузией, чтобы выделить явление в чистом виде. [36]
Например, шумы вследствие генерации и рекомбинации носителей в объемных фотопроводниках мешают использованию этого метода. [37]
Как может сказаться эффект генерации и рекомбинации носителей в переходе на виде обратной ветви вольтамперной характеристики. [38]
Туннельная ( полевая) генерация и рекомбинация носителей в обедненных слоях. [39]
В случае прямого смещения ток определяется рекомбинацией носителей в области пространственного заряда. [40]
Составляющую прямого тока, связанную с процессом рекомбинации носителей в / з-п-переходе, называют рекомбинационным током. Надо понимать условность этого термина, так как прямой ток, связанный с инжекцией неосновных носителей в прилегающие к переходу области ( см. § 3.2), также сопровождается рекомбинацией инжектированных носителей либо в базе диода, либо на омическом переходе диода. При больших для диода прямых напряжениях высота потенциального барьера на переходе небольшая. Поэтому прямой ток при больших прямых напряжениях будет вызван в основном инжекцией носителей через уменьшенный потенциальный барьер перехода. [41]
 |
Модель Линвилла с сосредоточенными параметрами для диода. [42] |
Она состоит из комбинанса Яс, характеризующего рекомбинацию носителей в базе, исторан-са S, отражающего накопление или рассасывание заряда неосновных избыточных носителей. [43]
Под действием этого тока, а также вследствие рекомбинации носителей заряд в базе уменьшается. Спустя некоторое время транзистор переходит из режима насыщения в активный режим, а потом запирается. [44]
 |
Влияние температуры на прямую ветвь вольт-амперной характеристики вентиля ВК2 - 200. [45] |
Страницы: 1 2 3 4