Рекомбинация - носитель
Cтраница 2
С целью уменьшения скорости рекомбинации носителей в базе ( что приводит к увеличению коэффициента усиления по току), а также уменьшения времени прохождения носителей через базу ( что позволит расширить границы частот) область базы транзистора должна быть сделана возможно более тонкой и по возможности свободной от центров рекомбинации. [16]
Она может являться следствием рекомбинации носителей в слое пространственного заряда, а также высокого уровня инжекции в компенсированной п-области. [17]
Наиболее эффективно повышают темп рекомбинации носителей тока такие примеси, которые создают в запрещенной зоне уровни глубокого залегания. Такие примеси способны снижать т неосновных носителей тока до 10 - 10 - 9 с. Поскольку скорость рекомбинации неосновных носителей ограничивается обычно эффективностью их захвата, то определяющее значение в этом процессе имеют те уровни ( с наибольшим сечением захвата), концентрация которых максимальна. [18]
Более конкретная информация о начальной рекомбинации носителей в антрацене может быть получена при его возбуждении рентгеновским излучением, исключающим влияние поверхности. Хьюз [46] обнаружил, что предсказания теории Онзагера отлично согласуются с зависимостью выхода носителей от электрического поля, измеренной экспериментально. Как станет ясно из дальнейшего обсуждения, теоретическое значение длины термализации в антрацене составляет - 50 А. [19]
 |
Распределение электронного и дырочного токов в полупроводнике с р-п переходом при прямом смещении. [20] |
В случае идеального перехода рекомбинацией носителей в области его объемного заряда пренебрегают. [21]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. [22]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. Обычно концентрация инжектированных носителей заметно превосходит равновесную. [23]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. Обычно концентрация инжектированных носителей заряда заметно превосходит равновесную. [24]
 |
Спектральное распределение излучения от светодиода из фосфида галлия при подаче на светодиод смещения. [25] |
Длинноволновые максимумы излучения обусловлены рекомбинацией носителей на неконтролируемой примеси, их интенсивность значительно меньше интенсивности основной полосы - примерно на два порядка. Ширина кривой спектрального распределения относится к числу основных параметров светодиодов. [26]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. Обычно концентрация инжектированных носителей заряда заметно превосходит равновесную. [27]
Рассеяние энергии, выделяющейся при рекомбинации носителей, может осуществляться несколькими путями. При излучательной рекомбинации эне ргия уносится фотонами. Рекомбинационное излучение может быть обусловлено как прямыми, так и непрямыми переходами. Доля излучательной рекомбинации при малых уровнях инжекции велика у полупроводников с узкой запрещенной зоной, например у InSb. Кроме межзонной излучательной рекомбинации могут быть и излу-чательные переходы носителей на локальные уровни дефектов или примесей. [28]
 |
Магнитодиоды. а - торцевая конструкция, б - планарная конструкция. [29] |
В планарной конструкции увеличивают скорость рекомбинации носителей на противоположной от электродов грани. В этом случае магнитодиод используется для определения направления измеряемого магнитного поля. [30]
Страницы: 1 2 3 4