Рекомбинация - неравновесный носитель
Cтраница 1
 |
Расчетные зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и критического заряда включения тиристора от сопротивления шунтировки перехода / з. [1] |
Рекомбинация неравновесных носителей в слоях объемного заряда прямосмещенных эмиттерных переходов приводит к снижению коэффициентов инжекции и тем самым к увеличению критического заряда включения тиристора. Поэтому du / dtf - стойкость тиристоров возрастает с повышением рекомбинации неравновесных носителей в слоях объемного заряда эмиттерных переходов. [2]
 |
Изменение избыточной концентрации во времени [ IMAGE ] - 15. Изменение избыточной концентрации в пространстве. [3] |
Рекомбинация неравновесных носителей происходит внутри полупроводника и на его поверхности и сильно зависит от примесей, а также от состояния поверхности. Значения т для германия и кремния в различных случаях могут быть от долей микросекунды до сотен микросекунд и более. [4]
Каким параметром характеризуют рекомбинацию неравновесных носителей заряда. [5]
Согласно принятым моделям центров рекомбинации неравновесных носителей заряда и уравнению ( 10), рост положительной фэп может быть обусловлен либо уменьшением концентрации вакантных узлов в кислородной подрешетке окисла, либо увеличением концентрации вакансий в металлической подрешетке. Очевидно, что уменьшение Концентрации анионных вакансий, как и увеличение концентрации катионных, свидетельствует о том, что в области потенциалов, отвечающей росту положительной фэп, при анодном формировании окисла в зону реакции кислород поступает в большем, а серебро в меньшем количестве. Иными словами, имеет место преимущественная диффузия ионов кислорода. Поскольку диффузия ионов кислорода по междоузлиям маловероятна по стерическим соображениям, можно предположить, что кислород в Ag2O диффундирует по имеющимся анионным вакансиям. Аналогичным образом можно показать, что, поскольку падение положительной фэп после максимума связано либо с уменьшением концентрации катионных вакансий, либо с увеличением концентрации анионных, анодное окисление серебра до Ag2O на этом участке носит преимущественно катионный характер. [6]
Существенной особенностью полупроводниковых диодов является рекомбинация неравновесных носителей на невыпрямляющем контакте. Физическую природу процессов можно установить при рассмотрении реальной структуры невыпрямляющего контакта, который обычно образуется при вплавлении металла в полупроводник с образованием рекристаллизованного слоя или путем нанесения металла на предварительно высоколегированный или нарушенный поверхностный слой полупроводника. Таким образом, база диода является неоднородной, и вблизи контакта имеет место изменение электрофизических параметров полупроводника от величин, соответствующих объему, до величин, характеризующих полупроводник на границе с металлом. В первом приближении можно считать, что существует область с исходными коэффициентом диффузии Dp, длиной диффузии Lp и временем жизни тр неравновесных носителей и некоторый слой толщиной WK также с постоянными, но существенно меньшими значениями DK, LK, тк тех же параметров. [7]
 |
Кривые тока и напряжения на тиристоре при переклю. [8] |
Эти процессы определяются главным образом рекомбинацией неравновесных носителей в базе п-типа. [9]
Концентрация зарядов, с которыми происходит рекомбинация неравновесных носителей, постоянна. Этот случай реализуется, например, в полупроводнике с явно выраженной примесной электропроводностью при введении неосновных носителей в небольшом количестве. Этот случай носит название линейной рекомбинации. Уравнения (1.40) решаются очень просто. [10]
 |
Зависимость Jo / h от а - для образца толщиной 10 мкм при различных значениях диффузионной длины. [11] |
В основе метода затухания фотопроводимости лежит процесс рекомбинации неравновесных носителей заряда. В некоторый момент времени полупроводниковая пластина, через которую пропускается небольшой электрический ток, освещается коротким импульсом света. После прекращения светового импульса возбужденные светом носители заряда рекомбинируют в объеме и на поверхности образца. Изменение напряжения на образце отражает закономерности процессов рекомбинации и диффузии носителей заряда и дает возможность определить ряд параметэов полупроводникового материала. [12]
В монографии рассматриваются процессы генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниках. Основное внимание уделено рассмотрению процессов рекомбинации через локальные центры, прилипания, диффузии и дрейфа неравновесных носителей тока в электрическом и магнитном полях и в связи с этим описанию явлений фотопроводимости ( собственной и примесной), фотоэлектродвижущих сил, а также методов экспериментального исследования кинетики фотоэлектрических процессов. [13]
 |
Схематическое изображение нитевидного транзистора. [14] |
Вследствие этого следует считаться с временем пролета и возможностью рекомбинации неравновесных носителей. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5