Рекомбинация - неравновесный носитель
Cтраница 3
Выражение (66.29) показывает, что плотность диффузионного тока уменьшается по тому же заколу, по которому изменяется избыточная концентрация, уменьшение которой обусловлено рекомбинацией неравновесных носителей заряда. [31]
Выражение (66.29) показывает, что плотность диффузионного тока уменьшается по тому же закону, по которому изменяется избыточная концентрация, уменьшение которой обусловлено рекомбинацией неравновесных носителей заряда. [32]
Это значит, что в выводе базы неуправляемый ток коллектора уравновешивает разность токов ie 1 и А / к - а, возникающую вследствие рекомбинации неравновесных носителей. [33]
 |
Световые характеристики фотоэлемента. [34] |
К основным процессам, приводящим к уменьшению КПД фотоэлементов, относят отражение части излучения от поверхности полупроводника, фотоэлектрически неактивное поглощение квантов света в полупроводнике ( без образования пар носителей электрон - дырка), рекомбинацию неравновесных носителей еще до их разделения электрическим полем выпрямляющего электрического перехода ( особенно на поверхности кристалла полупроводника), потери мощности при прохождении тока через объемное сопротивление базы фотоэлемента. [35]
 |
Световые характеристики прибора для вентильного и фотодиодного режима.| Кривые спектральной чувствительности германиевого ( / и кремниевого ( 2 фотодиодов. [36] |
Уменьшение чувствительности в области коротких длин волн по сравнению со значениями, получаемыми из формулы (4.254), связано с тем, что при уменьшении длины волны световая энергия поглощается в более тонком приповерхностном слое, где скорость рекомбинаций неравновесных носителей за счет ловушек значительно больше, чем в глубине материала. [37]
Два из них ( k и ( 3) характеризуют взаимодействие света с веществом и определяют процесс генерации неравновесных носителей, а два других ( т и ( л) описывают взаимодействие носителей тока с веществом и характеризуют процессы движения и рекомбинации неравновесных носителей тока. [38]
Так как при рассмотрении полупроводников группы алмаза мы приводили характеристики, определяющие выбор материалов для полупроводниковой электроники, то, отсылая читателей к специальной литературе, мы считаем все же необходимым упомянуть и о времени жизни носителей заряда, представляющем собой постоянную времени, характеризующую процесс рекомбинации неравновесных носителей заряда. [39]
Вследствие исчезновения потенциального барьера электроны и дырки вливаются в смежные р - и n - области, где и рекомбинируют друг с другом, испуская квант электромагнитного излучения. Рекомбинация неравновесных носителей приводит к обеднению соответствующих зон. Процесс этот протекает весьма быстро, за время порядка 1Q - 11 - 10 - 12 сек. Такое перемещение носителей осуществляется за счет внешнего источника тока, называемого источником накачки. Длительность токового импульса накачки определяет длительность свечения р - / г-перехода. [40]
Величины отклонений концентраций носителей от равновесного состояния Дл ( я-по), Ар ( р-ро) называются избыточными ( или неравновесными) концентрациями электронов и дырок соответственно. При взаимной рекомбинации неравновесных носителей их состояние возвращается к тепловому равновесию. Существуют два вида рекомбинации: прямая межзонная рекомбинация и рекомбинация через уровни дефектов. На рис. 2.24 показаны типы межзонной рекомбинации. При мржзонной рекомбинации электрона и дырки происходит испускание энергии, соответствующей ширине запрещенной зоны. Тип рекомбинации, изображенный на рис. 2.24, а, называется излучатель-ной рекомбинацией, а остальные два - безызлучательными. Рекомбинация с образованием свободного носителя ( рис. 2.24, б) называется Оже-рекомбинацией. [41]
Изучение кривых релаксации позволяет определить один из важнейших параметров, характеризующий фотопроводимость, - время жизни неравновесных носителей. Оно зависит от скорости рекомбинации неравновесных носителей. Сечение захвата определяется отношением числа захватов ( рекомбинаций) носителей на единице пути к числу атомов в единице объема вещества. [42]
Однако в большинстве случаев интересуются поведением именно неосновных носителей и уравнение (1.18) записывают относительно избыточных концентраций неосновных носителей. Величина Дрп / Тр имеет смысл скорости рекомбинации неравновесных носителей, т.е. числа рекомбинирующих носителей в единице объема в единицу времени. [43]
Рекомбинация неравновесных носителей в слоях объемного заряда прямосмещенных эмиттерных переходов приводит к снижению коэффициентов инжекции и тем самым к увеличению критического заряда включения тиристора. Поэтому du / dtf - стойкость тиристоров возрастает с повышением рекомбинации неравновесных носителей в слоях объемного заряда эмиттерных переходов. [44]
 |
Зависимость времени выключения от анодного тока.| Зависимость времени выключения от обратного напряжения. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5