Рекомбинация - неравновесный носитель
Cтраница 4
С увеличением обратного напряжения время выклю - 100 чения уменьшается, так как растет величина обратного тока и повышается интенсивность выноса носителей из базовых областей. При выключении тиристора без приложения обратного напряжения время выключения равно времени рекомбинации неравновесных носителей в базах р-п-структуры. [46]
Величина фотопроводимости и другие свойства и параметры фоторезистора во многом определяются процессами рекомбинации неравновесных носителей. [47]
 |
Структуры пленарных.| Конструкция однопереход-ного транзистора. [48] |
Следует иметь в виду, что в числитель дроби входит подвижность основных носителей, а в знаменатель неосновных. Формула (7.10) не учитывает время пролета носителей между невыпрямляющими контактами и возможность рекомбинации неравновесных носителей, а также не отражает инжекционной способности перехода. [49]
Концентрация дырок в базе около р-гс-перехода мгновенно измениться не может. Поэтому напряжение на р-и-переходе и соответственно на диоде после выключения тока уменьшается замедленно по мере рекомбинации неравновесных носителей в базе. Остаточное напряжение на диоде уменьшится до нуля после рекомбинации всех неравновесных носителей в базовой области диода. [50]
Концентрация дырок в базе около p - n - перехода мгновенно измениться не может. Поэтому напряжение на р-ге-переходе и соответственно на диоде после выключения тока уменьшается замедленно по мере рекомбинации неравновесных носителей в базе. Остаточное напряжение на диоде уменьшится до нуля после рекомбинации всех неравновесных носителей заряда в базовой области диода. [52]
 |
Изменение тока через тиристор ( а и-распределение зарядов в базах ( б при выключении тиристора импульсом напряжения отрицательной. [53] |
На интервале ч - / г переход / 3 смещен в обратном направлении, а переходы Д и / 2 по-прежнему смещены в прямом направлении. Так как переход / 3 смещен в обратном направлении, то ток через тиристор определяется в основном рекомбинацией неравновесных носителей в базе р-типа. Поэтому он уменьшается до нуля с. [54]
 |
Зависимость от времени напряжения на диоде ( а. [55] |
Концентрация дырок в базе около р-и-перехода мгновенно измениться не может. Поэтому напряжение на p - n - переходе и соответственно на диоде после выключения тока уменьшается замедленно по мере рекомбинации неравновесных носителей в базе. Остаточное напряжение на диоде уменьшится до нуля после рекомбинации всех неравновесных носителей заряда в базовой области диода. [56]
Глубокими примесными уровнями называют те уровни, вероят-ость термической ионизации которых при комнатной температуре мала. Существование примесных центров или дефектов структуры с глубокими уровнями во многих случаях определяет такие физические характеристики и параметры полупроводников, как скорость рекомбинации неравновесных носителей заряда, спектральную фоточувствительность и др. Глубокие примесные уровни играют большую роль в процессах, определяющих свойства фотоприемников. [57]
Влияние границ на удельные характеристики образца, в частности на введенные в разд. Соответственно различают размерные эффекты ( РЭ) на длине свободного пробега носителей заряда и тепла, на длине остывания ( релаксации энергии), рекомбинации неравновесных носителей, де-баевского экранирования и др. Указанные эффекты, как правило, удается описывать в рамках классических или квазиклассических представлений с использованием кинетического уравнения, вводя при его решении соответствующие граничные условия для неравновесной функции распределения. Размерный эффект, возникающий, когда толщина пленки становится сравнимой с длиной волны де Бройля носителей, имеет существенно квантовую природу и носит название эффекта размерного квантования. [58]
Влияние границ на удельные характеристики образца, в частности на введенные в разд. Соответственно различают размерные эффекты ( РЭ) на длине свободного пробега носителей заряда и тепла, на длине остывания ( релаксации энергии), рекомбинации неравновесных носителей, де-баевского экранирования и др. Указанные эффекты, как правило, удается описывать в рамках классических или квазиклассических представлений с использованием кинетического уравнения, вводя при его решении соответствующие граничные условия для неравновесной функции распределения. Размерный эффект, возникаю щий, когда толщина пленки становится сравнимой с длиной волны де Бройля носителей, имеет существенно квантовую природу и носит название эффекта размерного квантования. [59]
При собственном поглощении уменьшение длины волны излучения начиная с красной границы фотоэффекта Ягр ( см. рис. 7.2) приводит к резкому увеличению фотопроводимости, значение которой проходит через максимум, а затем падает. Причиной этого уменьшения фотопроводимости является изменение области генерации свободных носителей в полупроводнике. Из-за поверхностных явлений в полупроводнике увеличивается скорость рекомбинации неравновесных носителей и уменьшается время их жизни ( см. § 1.8), поэтому поверхностный слой не может внести заметного вклада в общую проводимость толстого полупроводника. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5