Рекомбинация - неравновесный носитель
Cтраница 2
 |
Схема неравновесных энергетических состояний в полупроводнике и физический механизм образования электронно-дырочной жидкости. [16] |
Справа приведена схема спектрального распределения интенсивности излучения фотонов, рождающихся при рекомбинации неравновесных носителей. [17]
 |
Центры рекомбинации ( а и центры прилипания ( б, в. [18] |
Рассмотрим, какую роль могут играть эти уровни в протекании процесса рекомбинации неравновесных носителей заряда. [19]
Объемным временем жизни неравновесных носителей заряда называют среднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника. [20]
Рассмотрим наиболее простой частный случай - постоянство концентрации носителей заряда, с которыми происходит рекомбинация неравновесных носителей. Этот случай реализуется, например, в полупроводнике с явно выраженной примесной электропроводностью при введении в него неосновных носителей заряда в небольшом количестве. Тогда появление неравновесных неосновных носителей заряда не вызывает существенного изменения концентрации основных, с которыми происходит рекомбинация. [21]
 |
Процессы установления обратного тока. [22] |
Заряд этих носителей пропорционален току через р-п переход, однако из-за сравнительно медленного характера диффузии и рекомбинации неравновесных носителей он не может мгновенно изменяться при изменениях тока. Его инерционность описывается временем жизни неосновных носителей т и обусловливает емкостный характер реакции р-п перехода на всякое изменение прямого тока. [23]
Релаксация заряда в базе Q ( t) зависит от схемы включения, так как она определяется не только рекомбинацией неравновесных носителей, но и током базы я электронной составляющей тока эмиттера. [24]
Релаксация заряда в базе Q ( i) зависит от схемы включения, так как она определяется не только рекомбинацией неравновесных носителей, но и током базы и электронной составляющей тока эмиттера. [25]
Время выключения тиристоров увеличивается с повышением температуры, что также связано с ростом времени жизни носителей, с замедлением процесса рекомбинации неравновесных носителей в базовых областях тиристора. [26]
 |
Временные зависимости напряжений на первом и втором эмиттерных переходах и тока через тиристор во время переключения тиристора из открытого в закрытое состояние. [27] |
Время выключения тиристоров увеличивается с повышением температуры, что также связано с ростом времени жизни носителей заряда, с замедлением процесса рекомбинации неравновесных носителей в базовых областях тиристора. [28]
 |
Принцип дейст - Если. контакты образца. [29] |
Токи электронов и дырок в направлении у складываются, образуя суммарный ток, плотность которого затухает по мере удаления от освещенной поверхности вследствие рекомбинации неравновесных носителей заряда. Если электрические контакты образца замкнуть накоротко, то во внешней цепи возникнет ток короткого замыкания фотомагнитного эффекта. В условиях короткого замыкания ток в каждой точке образца направлен в одну и ту же сторону, причем основная часть тока протекает вблизи освещенной поверхности в слое, соответствующем диффузионной длине смещения неравновесных носителей. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5