Рекомбинация - электрон
Cтраница 1
Рекомбинация электронов и дырок играет большую роль и в работе полупроводникового лазера, где инверсная заселенность достигается пропусканием тока через р - п-переход, приводящего к увеличению концентрации неосновных носителей по обе стороны перехода. Вблизи р - n - перехода идет рекомбинация электронов и дырок. При низких значениях силы тока преобладающей может быть безызлучательная рекомбинация, но когда неравновесные концентрации неосновных носителей становятся достаточно большими, все большее значение приобретает рекомбинация с испусканием фотонов, приводящая к некогерентному оптическому излучению. При очень больших концентрациях неосновных носителей, когда создается инверсия заселенностей и вынужденное излучение преобладает над спонтанным, испускаемый свет становится когерентным. [1]
 |
Структурная схема установки для регистрации инфракрасного излучения из структуры. [2] |
Рекомбинация электронов из зоны проводимости непосредственно с дырками в валентной зоне кремния маловероятна и практически не влияет на время жизни носителей. Однако интенсивность такой рекомбинации возрастает при больших концентрациях неравновесных электронов и дырок. При высоких уровнях инжекции в га-базе диода она становится пропорциональной квадрату концентрации неравновесных носителей. Каждый акт рекомбинации электронов и дырок непосредственно из зоны в зону сопровождается излучением кванта энергии, примерно равной ширине запрещенной зоны кремния, что соответствует длине волны излучения 1 14 мкм. Это излучение называется рекомбинационным. [3]
 |
Рекомбинация молекулярного иона гелия с электроном, приводящая к диссоциации на атомы Не. [4] |
Рекомбинация электронов и молекулярных ионов может происходить также в присутствии третьего тела. Третье тело может быть атомом или молекулой в основном или возбужденном состоянии, ионом или электроном. [5]
Рекомбинация электронов и дырок может происходить при прямых и непрямых переходах. При рекомбинации должны выполняться законы сохранения не только энергии, но и импульса. [6]
Рекомбинация электронов с положительными ионами не приводит, по-видимому, при облучении насыщенных углеводородов в твердой фазе к образованию алкильных радикалов. [7]
Рекомбинация электронов и положительных ионов происходит исключительно на стенках трубки. [8]
Рекомбинация электронов в дырочном и дырок в электронном германии происходит как в основной массе полупроводника, так и особенно сильно на внешней его поверхности. В этом последнем случае вероятность рекомбинации в высокой степени зависит от состояния поверхности и может быть усилена или ослаблена соответственной обработкой. [9]
Рекомбинация электронов и ионов наиболее полно исследована теоретически, поскольку получение однозначных экспериментальных результатов ( в послесвечении различных электрических разрядов) затруднено наличием большого числа процессов, приводящих к спаду концентрации заряженных частиц, и довольно слабой их изученностью даже в простейших случаях - в инертных газах. [10]
Рекомбинация электрона и дырки ( см. рис. 1.1, б) соответствует переходу электрона с энергетического уровня ЕС на энергетический уровень Ev с меньшим запасом энергии. Так как у германия и кремния ширина запрещенной зоны сравнительно невелика ( соответственно 0 72 и 1 12 эВ), то выделяемая при протекании рекомбинационных процессов энергия поглощается в основном кристаллической решеткой полупроводника. Однако полупроводниковые материалы светодиодов имеют большую ширину запрещенной зоны ( например, для GaAs &. Поэтому в светодиодах часть освобождающейся энергии ( при протекании рекомбинационных процессов) поглощается объемом полупроводника, а избыток излучается в виде квантов света в окружающее пространство и фиксируется зрительно. [11]
 |
Коеалентные связи в атоме кремния. [12] |
При рекомбинации электрона и дырки происходит выделение энергии. [13]
При рекомбинации электронов происходит освобождение энергии в форме фотонов и газ начинает светиться с характерным оранжево-красным оттенком. На рис. 1 - 37 показан типичный плазменный дисплей. [14]
При рекомбинации электрона выделяется энергия, равная потенциалу ионизации / образуемого атома. [15]
Страницы: 1 2 3 4