Рекомбинация - электрон
Cтраница 3
Явление рекомбинации электрона с ионом заключается в том, что свободный электрон, пролетая в поле иона, захватывается последним и переходит в связанное состояние. При этом освобождается энергия, равная сумме кинетической энергии свободного электрона и его энергии связи. [32]
Теория рекомбинации электронов и дырок в полупроводниках, развитая Шокли, Ридом и Холлом, объясняет, почему значения времени жизни, наблюдаемые в германии и кремнии, на несколько порядков меньше, чем следовало бы ожидать при непосредственной рекомбинации электронов и дырок. Принятая модель показана на фиг. Предполагается, что рекомбинация происходит при участии различного рода нарушений в кристалле. [33]
Явление рекомбинации электрона с ионом заключается в том, что свободный электрон, пролетая в поле иона, захватывается последним и переходит в связанное состояние. [34]
 |
Зависимость вероятности ионизации соответствующих атомов от энергии электрона. [35] |
Коэффициент рекомбинации электронов ае значительно меньше коэффициента рекомбинации ионов a. При рекомбинации электронов могут иметь место два случая ( табл. 5 - 10, пп. [36]
Рассмотрим рекомбинацию электронов зоны проводимости и дырок валентной зоны, когда каждый элементарный рекомбинационный акт сопровождается излучением фотона. [37]
Освободившиеся при рекомбинации электрона и дырки энергия и импульс излучаются в виде света - так называемая излу-чательная рекомбинация. [38]
 |
Спектральная характеристика излучения полупроводникового лазера из арсепида индия и зависимости от тока возбуждения. [39] |
Так как рекомбинация электронов и дырок происходит, главным образом, в области р - - перехода, то излучение нарастает, если оно распространяется в этой плоскости и выходит из боковых граней кристалла в месте / - п-перехода. Полоса излучаемых частот оказывается достаточно узкой и будет зависеть от энергии ( ширины) запрещенной зоны АЕ Ев - - Ев, где Еп-средняя энергия зоны проводимости, Ев - средняя энергия валентной зоны. [40]
 |
Энергетические диаграммы светодиода при отсутствии внешнего напряжения ( а и при прямом включении ( б. [41] |
В результате рекомбинации электронов с дырками выделяется квант энергии - фотон. [42]
Превышение скорости рекомбинации электронов Rn равно - разности скорости захвата и скорости эмиссии, или генерации, электронов. [43]
Рассмотрим теперь рекомбинацию электрона на некоторый определенный уровень у - Для того чтобы получить полное эффективное сече-йие этого процесса, надо просуммировать второе из выражений (34.20) по всем состояниям Ь, относящимся к уровню у, и усреднить по всем состояниям а уровня Y исходного иона, а также по fas. [44]
Что излучается при рекомбинации электрона с дыркой в полупроводнике. [45]
Страницы: 1 2 3 4